二手 AIXTRON 2400G3 HT #9292253 待售
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ID: 9292253
優質的: 2004
MOCVD System
Equipped with (4) single thermal baths and (1) double
GaN, 11x2"
Hydride source configuration: NH3-1, NH3-2, SiH4-1, HCl
MO Source configuration: TMGa-1, TEGa-1, TEGa-2, TMAl-1, Cp2Mg-1, TMIn-1, TMIn-2
Spare parts included
2004 vintage.
AIXTRON 2400G3 HT是為晶體生長應用而設計的水平配置沈積反應器。該反應堆利用射頻等離子體為化學氣相沈積(CVD)過程創造低壓環境。這意味著沈積反應的原料以氣態蒸氣的形式通過受控的流動註入過程輸送到腔室。射頻等離子體是由位於反應堆腔室內部和外部的電極產生的。這種射頻等離子體用於使氣態源材料電離,從而為所需材料的最佳生長創造條件。AIXTRON 2400 G3-HT融合了先進的工藝控制和溫度控制技術,允許用戶精確控制沈積參數和工藝條件。反應堆的溫度控制可以設置到最高900°C,這取決於正在生長的材料。反應堆配備了AIXTRON專利的快速掃描能力,允許用戶精確校準工藝參數,優化生長過程。2400 G3 HT是單晶片反應器,具有標準的層上(LOL),最大晶片尺寸為12英寸。反應物氣體通過反應堆室頂部的兩個開環註入沈積區,然後由一組擋板均勻分布。2400 G3-HT體積大,吞吐量大,在整個增長過程中保持一致和均勻的薄膜沈積。除了特殊的技術特性外,2400G3 HT還有幾個額外的安全特性。它帶有一層過溫控制系統,旨在通過防止沈積膜材料的任何聚結來防止基板受到汙染。此外,AIXTRON 2400 G3 HT在反應堆室內裝有惰性氣體氣氛,進一步防止形成任何不需要的沈積物。總而言之,AIXTRON 2400G3 HT是一種非常先進的沈積反應器,非常適合生長晶體。它提供了最佳的溫度和壓力控制,並具有多種安全功能,可幫助用戶在不影響基板的情況下實現所需的結果。AIXTRON 2400 G3-HT是生產高純度晶體的理想選擇,具有優良的均勻性和結構完整性。
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