二手 AIXTRON AIX 200/4 #9065747 待售
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ID: 9065747
MOCVD System
For LED or Optical devices: 2", 3", 4"
Average Throughput: up to 2,700 wafers per year
Wafer Capacity:
1 x 4"
1 x 3"
1 x 2"
Applications:
Ⅲ-Ⅴ Compounds
Ⅱ-Ⅵ Compounds
Oxides
Facility Requirements:
Power Supply:
3/N/PE/60Hz*/200V/AC/*+-5% or
3/N/OE/50Hz*/400V/AC/+-5%
Max. power consumption: ~20 kVA
Gas Supply:
N2 6.0 H2 Pd-Diffused
AsH3 100%
PH3 100%, SiH4 100%,
P inlet each 3-3.5 bar
Forming Gas 5% - 10% H2 in N2
Pneumatic: N2 techn. 7-8.5 bar
Cabinet Ventilation:
2 x 1000m3/h
Wafer cooling:
Total Flow 4l/min at Tinlet < 25℃
< 6 bar
Differential Pressure < 4 bar
Currently warehoused
1998 vintage.
AIXTRON AIX 200/4是一種設計用於薄膜材料和納米材料沈積的低壓（LP）金屬有機化學氣相沈積（MOCVD）反應器。AIX 200/4是一款商用MOCVD工具，多年來一直用於演示納米線生長、納米晶體生長和許多薄膜沈積。該反應堆在溫度和壓力控制方面具有很大的多功能性，並已被用於使沈積在許多不同的底物上。AIX 200/4反應器包括一個石英反應管，在那裏薄膜的生長發生，以及一個單獨的前體註入設備和一個感應耦合等離子體（ICP）源。石英管是發生沈積的地方，被加熱到生長所需的溫度。前體註入系統供應反應物，並作為氣體輸送裝置。氣體流經流量計，流量計提供精確數量的每種氣體，通常以穩態存在於反應管中。ICP源接著被用來產生高密度的等離子體來激發反應物種類，允許納米結構或薄膜的生長。AIX 200/4還包括溫度控制選項，包括石英反應管的直接加熱，允許溫度控制~ 500 °C。這使得一系列半導體和金屬氧化物得以生長。AIX 200/4還具有壓力控制能力，可用於控制反應管內的大氣。這樣可以在不同的大氣條件下沈積，如低真空和高真空或超高真空。AIX 200/4工具是一種多功能、堅固的MOCVD沈積機,能夠生產高質量的薄膜和納米材料。它是一個廣泛應用的好工具，可用於優化薄膜器件的沈積條件。它也可用於研究物質生長機制，獲得對等離子體物理的洞察力。
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