二手 AIXTRON AIX 200 #148651 待售
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已售出
ID: 148651
晶圓大小: 2"
LP-MOCVD system, 2"
For sophisticated heterostructures such as:
GaAs, InP, GaInAS, GaInAsP laser and multi quantum well structures
Single chamber: 2 x 2"
High purity gas blending system: tubing and components electropolished
MFC and electronic pressure regulators response time: 1.5 second
Temperature control for MO sources: better than 0.05°C
Susceptor for (2) 2" wafers
Uniform substrate temperature: maximum deviation 0.4°C / cm (1°C / inch)
Heating and cooling times: 10 minutes
Low pressure option: rotary pump with Fomblin oil and chemical oil filter
Switching time: 0.1 second
Process control: step programmable, 0.1 second increments
Gas velocities in the growth area: maximum 5 m/s (200 inch / s)
Total flow rate: standard up to 20 lpm
Process times for high output: 8 runs per 8 hour day possible
32 bit computer with floppy and hard disks
Safety interlock system operating even at computer down times
Glovebox.
AIXTRON AIX 200是由德國半導體沈積設備制造商AIXTRON SE開發的高度先進、用途廣泛的反應堆。它是一種雙區域、高性能、自動化的分子束外延（MBE）設備，專門設計用於將化合物沈積到基板上，以生產出質量最高的半導體器件。AIX 200可以提供Open@@-Atmosphere MBE（OAMBE）或Ultra@@-High Vacuum（UHV）MBE。它支持廣泛的真空沈積過程，如蒸發、濺射和化學氣相沈積（CVD）。AIXTRON AIX 200還支持水平和垂直沈積模式，使各種材料得以沈積，包括III-V、II-VI和各種其他化合物。AIX 200配備AI XTEC氣體控制系統，提供卓越的氣體控制、真空控制，並提供更大範圍的氣體輸送選項，最大氣體流量300 sccm，可調細流量0.1 sccm以下。AIXTEC提供對超高壓和OAMBE模式下壓力水平的精確控制。此外，AIXTRON AIX 200還有一個高效的熱管理單元，使溫度設置能夠以高精度和準確度進行操縱。這是通過AIX 200先進的原位粉末設定點保留和分配單元完成的,該單元可確保所有基材和組件在大面積上保持一致。AIXTRON AIX 200還配備了一個可調參數單元，其中進氣壓力、氣體RMS流量、沈積溫度、監測系統、沈積時間等參數都可以調節。AIX 200具有極好的精度和精確度,因為它能夠長時間產生可重復的沈積結果,並能夠調整沈積速率和厚度。其鋼絲網加熱機進一步提高了沈積精度和精度。此外,AIXTRON AIX 200還具有運動學安裝架,可確保保持所有傾斜、方位角和旋轉參數,以獲得準確和可重復的沈積結果。總體而言,AIX 200是半導體制造的絕佳選擇,提供卓越的性能、可重復的結果以及頂級氣體控制和沈積精度。AIXTRON AIX 200具有高效可靠的熱管理工具和可調參數單元，是制造高質量、高精度半導體元件的絕佳選擇。
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