二手 AIXTRON AIX 2600 G3 HT #293596198 待售
看起來這件物品已經賣了。檢查下面的類似產品或與我們聯系,我們經驗豐富的團隊將為您找到它。
單擊可縮放
已售出
ID: 293596198
優質的: 2006
MOCVD System
III-N Process
Planetary reactor
With (8) satellites, 1" x 4" / 3" x 2"
Up to 8" x 4" / 24" x 2"
Maximum process temperature: 1200°C
(8) MO Sources
(6) Standards
(2) Diluted
TMGa
TEGa
TMAl
(2) TMIn
Cp2Mg
NH3, Single line
(2) MFCs
SiH4, 2-lines
H2 Purifier
Palladium diffusion cell
N2 and NH3 Purifier
MBRAUN Glovebox
EBARA Dry process pump
HUTTINGER RF Generator
Reactor ceiling
With viewport
LAYTEC Epicurve Reflectometry / Pyrometry / In-situ bow measurement
LAUDA Baths for MO sources
Spare parts included:
Pneumatic valves with ¼" VCR fittings
Mass flow controllers (Yellow sleeve)
Exhaust system components, DN25 and DN40 flanges
(2) ¼" Piping
Manual valves
Pressure transducers for H2/N2/NH3 inlet
Purge units for toxic/flammable gases
MFC Electrical connectors
MFC Interfaces
Exhaust system components
Electronic valves
MKS Baratron
Hydrogen purifier
Nitrogen and ammonia purifiers
Glovebox filter unit
Reactor components:
Graphite satellites
Cover segments
Quartz parts
2006 vintage.
AIXTRON AIX 2600 G3 HT是一種最先進的高通量金屬有機化學氣相沈積（MOCVD）反應堆。它配備了低壓、高輸出發電機，為厚、復雜、均勻的薄膜塗層創造了較高的沈積速率，具有良好的臺階覆蓋率。利用獨特的Inverted-L幾何圖形，將基板置於半導體薄膜生長路徑中的直線。AIX 2600 G3 HT利用AIXTRON卓越的MOCVD，這是大規模生產III-V類復合半導體材料和器件的主要薄膜沈積技術。該反應器通過增加氣體入口的位置和改進沈積參數的控制，提供了薄膜的高均勻性和重復性，同時確保了高度均勻和低成本的外延增長。一般的過程是在Inverted-L反應堆裝上一個或多晶片盒式磁帶時開始的。半自動加載/卸載系統確保清潔和不間斷的基板更換過程。氫氣如H2、N2或Ar，必要時使基板被板載頻率控制微波系統加熱至1100 °C，同時允許溫度場的最大均勻性。反應堆另外配有氣泡和氣體分銷商。氣源分子束外延系統（GSMBE）的應用是實現最終沈積層沈積均勻性和可重復性的關鍵。GSMBE創造了均勻的膠片增長和出色的階梯覆蓋，同時允許使用適當的前體。此外,還可以添加緩沖層、接觸層、活動層和鈍化層等層,以構建所需的設備體系結構。作為最終產品,AIXTRON AIX 2600 G3 HT提供了由專用外延層和金屬觸點組成的完全集成的高性能微電子器件。這種高度先進的反應堆是生產多達200毫米基於GaAs的光電、高功率和高頻微波設備的完美工具。它允許較高的沈積速度和較短的工藝時間滿足半導體工業的生產需求。
還沒有評論