二手 AIXTRON AIX 2800 G4 #9412483 待售

製造商
AIXTRON
模型
AIX 2800 G4
ID: 9412483
晶圓大小: 4"
優質的: 2010
MOCVD System, 4" GaN Process Epitaxy reactor 2010 vintage.
AIXTRON AIX 2800 G4是為各種薄膜應用而設計的高功率多功能超短脈沖脈沖沈積反應器。AIXTRON AIX2800G4配備了先進的技術和組件,能夠在各種條件下快速沈積薄膜材料,提供強烈的脈沖能量和快速的重復率。AIX 2800G4具有在短脈沖模式和介電常數模式下運行的能力,並且可以針對各種基板尺寸和幾何形狀進行配置。AIX 2800 G4擁有高功率微波發電機,具有可切換的400 kW峰值功率,脈沖持續時間為1-20微秒,重復率高達30 kHz。高溫加熱元件可使基板達到高達1100 °C的峰值溫度。這種高溫對於獲得最佳薄膜厚度和均勻性很重要。AIX2800G4提供了廣泛的過程控制功能,例如壓力和溫度控制、通量控制和開環控制。反應堆內置了補償環境壓力和基板溫度變化引起的像差的系統。AIXTRON AIX 2800 G 4還有一個內置的反饋系統,以保證基板溫度和脈沖沈積過程中的壓力穩定性。AIXTRON AIX 2800G4有兩個主要的加工室。每個腔室都配有兩個平面天線,以實現層移、等離子體蝕刻、RIE蝕刻、沈積和薄膜圖案等過程。基板支架的設計可以容納各種各樣的基板尺寸和幾何形狀。AIX 2800 G4還提供具有用戶友好導航和實時過程控制功能的車載計算機。反應堆可以通過安裝在控制系統上的軟件包進行遠程操作,該軟件包允許自動控制和運行過程循環。此外,它還支持具有圖像處理功能的數據采集系統。AIXTRON AIX 2800 G4包括夾緊和運輸系統、氣體入口、氣體采樣管、泄漏管線等附件。AIXTRON AIX2800G4能夠以各種構型和條件運行,非常適合原子層沈積(ALD)、金屬有機化學氣相沈積(MOCVD)和物理氣相沈積(PVD)等過程。
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