二手 AIXTRON AIX G10 SiC #293829804 待售
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ID: 293829804
晶圓大小: 6"
CVD System, 6"
PC Control system:
MES Interface
SECS II/GEM
MOVPE System
Router
Gas handling system:
MO-G1 Standard metalorganic channel
LOTO Valves for bubbler
GMS Cabinet external
MO-G2 Standard gas channel with pusher, HCL
MO-G4 Cascade with (3) Inject MFCs, C2H4
MO-G4 Cascade with (2) Inject MFCs, N2
MO-G2 Cascade with pusher, SiH₄
(2) MO-Differential run/vent pressure balancing's, MO, R/V Center
(2) MO-G3 Cascade double outlets, TMAI
(3) Carrier gas channel for balancing gas flow switching:
R/V Center
R/V Bottom
R/V MO
Process control:
EpiCurve TT AR 3W, 1800°C
Top Temperature Controller (TTC)
Autosat
Gas purification:
Spare provision for standard purifier: HCl, C2H4
(2) Single port hygrometer, valve and housings: H2, Ar
Ar limiter
Extension:
Vacuum tweezer for glovebox for handling wafer
Ar blower gun (PM)
Automation:
Cassette to cassette wafer handler
High temperature operation: 600°C
Ring Buffer Module (RBM)
Wafer cover ring
Cassette rings: 150 mm.
AIXTRON AIX G10 SiC是為碳化矽（SiC）材料外延生長而設計的一種尖端化學氣相沈積（CVD）反應器。作為一家專門生產半導體設備的世界領先技術公司，AIXTRON開發了AIX G10 SiC反應堆，以滿足電力電子、電信、汽車應用等領域對高品質SiC材料不斷增長的需求。AIXTRON AIX G10 SiC反應器針對SiC外延層沈積在基板上進行了專門優化，使得能夠生產功率二極管、晶體管、傳感器等高性能SiC器件。與傳統的半導體材料（如矽）相比,SiC具有多種優勢,包括更高的擊穿電壓、導熱系數和耐溫性,使其非常適合需要高功率和高頻性能的應用。AIX G 10 SiC反應器采用水平暖壁CVD室配置，以確保SiC層均勻沈積在直徑不超過6英寸的基板上。反應堆設計融合了先進的溫度控制和氣流管理系統，以實現對生長過程的精確控制，從而產生高度可重現和高質量的外延層。該反應器具有一個高溫反應器室，能夠達到2000攝氏度的溫度，這是沈積具有優良晶體質量和低缺陷密度的SiC外延層所必需的。反應堆配有先進的氣體輸送系統，可精確地將矽烷（SiH4）和甲烷（CH4）等前體氣體引入燃燒室，從而使SiC層具有可自定義的摻雜剖面的受控生長。除了先進的工藝控制能力外，AIXTRON AIX G10 SiC反應堆設計方便操作和維護，具有用戶友好界面，允許操作員實時監控和調整工藝參數。反應堆還配備了安全功能，以確保操作過程中對操作員和環境的保護。AIX G 10 SiC反應堆適合研究和工業生產設施，希望制造性能優異的SiC器件。反應堆的可擴展性和靈活性使其成為優化增長過程和開發新材料配置以滿足半導體行業不斷變化的需求的理想平臺。總體而言，AIXTRON AIX G 10 SiC反應堆代表了SiC材料外延生長的最新解決方案，為生產先進的SiC基器件提供了無與倫比的性能、可靠性和工藝控制。憑借其創新的設計和先進的能力，AIX G 10 SiC反應堆準備推動下一代電力電子和半導體技術的發展。
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