二手 AIXTRON Crius 30 X 2" #9032566 待售
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單擊可縮放
ID: 9032566
優質的: 2007
CCS/IC MOCVD GaN system
Electrical cabinet
Gas mixing cabinet
Reactor cabinet
Glove box cabinet
Heater power supply unit
Heat exchanger
Vacuum system
Temperature range: Storage: 10º-50º C; During condition: 15º-25º C
Relative humidity: Storage: 30-80%; 45-80%
Voltage: 400 V +/- 5% (3/N/PE); 208 V +/- 5% (3/N/PE)
Frequency: 50 Hz +/- 1% for 400 V; 60 Hz +/- 1% 208 V
Power consumption: Approx. 28 kVA for system; approx. 110 kVA for power supply, cabinet
Max power consumption: 110 kVA
Gas mixing cabinet/electrical cabinet: 2 ventilation ducts, ∅250mm
=> 750 m3/h each
Process gases:
Type of gas: e.g. NH3, HCl
Purity: ≥ 5.0 N (free of condensate)
Inlet pressure range: 3, 3.5 bar
Pneumatic supply:
Quality: Clean, dry 5 um filtered
Pressure: 5,7 bar
Temperature: Approx. 20º C
Cooling water:
Inlet temperature: 17-25º C
Temperature stability: +/- 1º C
Inlet pressure (max): 6.5 bar
Outlet pressure (max): 2.5 bar
Pressure difference inlet/out: > 4 bar
Minimum total flow: 50 l/min
RF generator board is nonfunctional
2007 vintage.
AIXTRON Crius 30 X 2是一種雙板等離子體增強化學氣相沈積（PECVD）反應器。它用於將高質量的薄膜，如氧化物和氮化物沈積到包括矽、金屬、電介質和聚合物在內的多種基材上。與單板PECVD系統相比，它的兩種板材設計使得更大的直徑和面積的基板能夠得到處理。Crius 30 X 2有一個30厘米的加工室，設計用於薄膜的均勻、受控沈積，采用等離子體增強的CVD和計算機控制的過程變量如壓力、底物溫度和氣流。它還具有可調的工作室均勻性區，允許用戶在基板的特定區域上分配他們的工藝條件。PECVD工藝由一臺獲得專利的1.8 kW射頻（RF）發電機提供動力，該發電機的工作頻率為13.56 MHz。它旨在為平板電極和基板偏置提供可調諧的射頻功率。該系統允許每臺高達100瓦的RF功率。該機器包括一個先進的軟件和控制系統，它提供了簡單的用戶界面，增強的過程控制，和自動化的質量監控。Crius 30 X 2上的沈積速率可在0.1至10微米/分鐘之間調節。沈積速率取決於底物的類型和所使用的氣體。最高溫度限制在350 °C，但對於某些基板可以較低。此外，PECVD工藝還可用於沈積多組分、多層、重現性好的薄膜。Crius 30 X 2還具有很高的可靠性,因為它采用精確對準銷連接的結構部件進行設計,以確保床的平整性和可重復性。其模塊化設計使得維護和服務相對容易，適用於工業生產線。總之，AIXTRON Crius 30 X 2是一種先進的PECVD系統，用於優質薄膜的沈積，設計時考慮到可靠性和準確性。它的兩個壓板設計使基板處理比單壓板系統更大、更精確，其可調的工作室均勻性區允許更精確的過程控制。其先進的射頻發電機和軟件使其既適合工業生產線，又適合實驗室研究。
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