二手 AIXTRON Crius II #293831257 待售

製造商
AIXTRON
模型
Crius II
ID: 293831257
晶圓大小: 4"
優質的: 2011
MOCVD System, 4" Gases: PN2: Tube size: 3 / 8" Pressure (psi): 80 ∼ 100 Flow rate: 100 L H2: Tube size: 1 / 4" Pressure (psi): 60 ∼ 100 Flow rate: 100 L H2 in N2 (10%): Tube size: 1 / 2" Pressure (psi): 100 ∼ 120 SiH4 in H2 200ppm: Tube size: 1 / 4" Pressure (psi): 40 ∼ 50 Flow rate: 0.1 L NH3: Tube size: 3 / 8" Pressure (psi): 40 ∼ 50 Flow rate: 50 L MO Sources: TMGa TMAL Cp2Mg TMI and TEG Components: Dry pump 2011 vintage.
AIXTRON Crius II是一種化學氣相沈積反應器(CVD),用於薄膜沈積和半導體加工。專為提供高級材料研究和器件制造的優質薄膜而設計。反應堆是一種單晶片大氣壓設備,在時間上最多支撐兩個晶片。它提供0.7至2 Torr的低壓和50至500 °C的高溫範圍。Crius II由幾個模塊和組件組成。兩個主要模塊是負載鎖定系統和主腔室。負載鎖定單元固定晶片,並在沈積過程中提供保護。主室是保護晶片免受氣體和壓力影響的圓形室。它還能防止外界汙染,保持最佳沈積環境。AIXTRON Crius II還包括一臺晶圓運輸機,將晶圓送入和送出腔室。晶片傳遞工具配有傳送帶和推動器,在腔內移動晶片。Crius II由計算機資產提供動力,它控制模型的壓力和溫度,以及反應物的流動和沈積過程的時間。它允許用戶調整溫度和壓力等參數,以滿足他們的具體要求。AIXTRON Crius II還具有自動化設備,允許用戶編程設置。這種自動化系統有助於降低沈積過程的復雜性,使其更加高效。Crius II的先進設計也是為了高效快速的沈積而設計的。它配備了先進的沈積技術,確保薄膜的沈積準確一致。它支持多種沈積技術,具有先進的預沈積室,為晶片的沈積做準備。這確保了在主室中均勻的化學沈積,從而產生高質量的薄膜。AIXTRON Crius II也被設計為方便用戶。它提供了一個大的彩色觸摸屏顯示屏,允許用戶直觀地從正面控制單元。屏幕上的菜單使控制設備和設置沈積更容易運行。總之,Crius II是一種先進的CVD機器,為先進的材料研究和設備制造提供高質量的薄膜。它是為高效和快速沈積而設計的,其用戶友好的界面使得它更容易使用。它具有先進的預沈積室、先進的沈積技術和自動化的編程工具,是薄膜沈積的絕佳選擇。
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