二手 AIXTRON Crius II #9399247 待售
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ID: 9399247
晶圓大小: 2"-6"
優質的: 2010
MOCVD System, 2"-6"
AFFINITY EWE-08AJ-ED43CAD0 Chiller
EDWARDS IXH645HLV Dry pump
ARGUS Temperature monitor
(4) Wires with ground wiring
Hydride lines: NH3-1/NH3-2/SiH4
(2) RAUDA RE235 Baths
(4) NOAH Precision baths
HORIBA MFC Type
GaN Gouve
Chamber (55"x2")
MO Source:
TMGa-1
TMGa-3
TEGa2
Cp2Mg-1
Cp2Mg-1
TMln-1
(7) TMAI-1
Missing parts:
ALCATEL / ADIXEN A100H/P Pump
ALCATEL / ADIXEN ACP 15 Pump
Heat voltage: 380 VAC, 3-Phase
Power supply: 208/120 VAC, 3-Phase
2010 vintage.
AIXTRON Crius II是一種先進的化學氣相沈積（CVD）反應器，能夠沈積多種材料，如金屬、半導體、氧化物和氮化物。它是為生產和研究目的而設計的。Crius II具有堅固的模塊化設計,可配置為適應各種工藝和基板尺寸。AIXTRON Crius II反應堆的主要部件包括微處理器控制的氣體混合輸送系統、超高真空（UHV）室、加熱的基板支架以及產生等離子體的兩個磁控器。氣體輸送系統用於混合氣體並將氣體輸送到燃燒室，而特高壓燃燒室則設計成保持低壓穩定，以確保材料在整個基板上均勻生長。基板支架可以加熱到1,300°C，以允許熱摻雜和基板加熱以生長高溫電介質。Crius II可容納直徑最大為4英寸的底物，與金屬有機前體、氣態有機金屬化合物等各種原料兼容。兩個磁控管利用直流（DC）功率產生高密度等離子體，有助於提高材料生長的反應速率和均勻性。磁控管還用於監測和控制溫度、壓力、等離子體功率等沈積條件。AIXTRON Crius II配備了強大的軟件程序，允許精確控制所有加工參數，包括基板持有者溫度、磁控管功率和氣體濃度。也可用於運行自優化周期，以微調增長過程。Crius II反應堆是一種功能強大、用途廣泛的工具，用於沈積各種材料，從金屬、半導體和氧化物到氮化物。它具有符合人體工程學的設計，能夠可靠和一致的沈積，以及對生長參數的精確控制，以優化工藝。適用於研究和生產應用。
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