二手 AIXTRON G3 2600 #9111425 待售
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已售出
ID: 9111425
晶圓大小: 4"
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Wafer size : 4" x 8 , 2" x 24
Heating type: RF induction heater
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
MO Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl
Software OS: Window
Gas system:
Gas line: VCR type
MFC: Bronhost, N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Carrier gas: H2 flow 70L/min; N2 flow 70L/min
Vacuum system:
Process pump: Ebara ESA25D
Filter: exhaust gas filter with separate water cooling unit
Pressure control: MKS651 controller, throttle valve
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Max. inlet pressure: < 6 bar
Differential pressure: > 4 bar
Inlet temperature: < 25º C
Outlet temperature: < 65º C
Includes:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
208 V, 3 Ph, 50/60 Hz
Currently warehoused
2002-2007 vintages.
AIXTRON G3 2600是一種先進的熱壁化學氣相沈積（HWCVD）反應器，設計用於生產納米結構和納米復合材料薄膜。這座先進的CVD反應堆具有模塊化設計，允許控制多個沈積參數，包括氣體流量、壓力、溫度等。它還配備了石英工藝管和大功率射頻（Radio Frequency）發生器，以允許原子物種操縱。G3 2600能夠將材料精密沈積到納米級，能夠生產出高質量的薄膜。其模塊化設計允許控制和調整氣體流量、壓力、溫度等沈積參數，從而確保精度和可重復性。此外，該裝置的設計使得不同的沈積配方可以存儲在其計算機系統中，從而使薄膜的快速高效生產成為可能。此外,AIXTRON G 3 2600還提供多種高級功能,包括由石英保護的不銹鋼制成的內飾、用戶友好的觸摸屏控制面板、符合人體工程學的設計以及與潔凈室兼容的部件。此外，G3 2600還具有高功率射頻發電機（最高76 MHz）和加熱石英工藝管，這兩者都能夠對生長中的薄膜進行精確控制。這種先進的設計使得反應器特別適合於量子材料和納米復合材料膜的沈積。得益於高功率射頻發生器，用戶可以在工藝管內操縱原子和離子物種，讓他們精確控制沈積速率和薄膜的組成。綜上所述，AIXTRON G 3 2600是一種先進的CVD反應器，設計用於生產精確和精確的納米結構和納米復合薄膜。其模塊化設計、人體工程學特性以及射頻發生器和石英工藝管等先進特性，使其成為廣泛應用的絕佳選擇。
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