二手 AIXTRON G3 2600 #9150530 待售
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已售出
ID: 9150530
晶圓大小: 4"
優質的: 2007
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Heating type: RF Induction heater
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
Software OS: Window
Gas system:
Gas type: VCR Type
MFC: Bronhost / N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Carrier gas:
H2 (Total flow : 70 l/min)
N2 (Total flow : 70 l/min)
MO-Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl, UDMH, CBr4, DTBSI
Vacuum system:
Process pump: EBARA ESA25D Dry pump
Filter: Exhaust gas filter with chiller
Pressure control: MKS651 Controller
Throttle V/V
Utility:
Voltage:
System: 208V AC, 3 Phase
Heater: 380V AC, 3 Phase
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Max.inlet pressure: <6 bar
Differential pressure: >4 bar
Inlet temperature: <25℃
Outlet temperature: <65℃
Included:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
Power:
System: 25KVA
Heater: 144KVA
208 V, 3 Ph, 50/60 Hz
Currently de-installed and warehoused
2007 vintage.
AIXTRON G3 2600是專門為制造先進材料而設計的反應堆。它是目前市場上最強大的反應堆之一，提供高功率、多功能性和精確性能的組合。G3 2600具有300毫米的製程室，能夠提供可控且均勻的溫度，產生最佳的製程結果。它能夠處理範圍廣泛的材料，如矽、氘、鋁-氙-砷化物（AlGaAs）、矽-氙（SiGe）和氮化氙（GaN）。它還具有蒸發材料進行氧化和沈積的能力，同時提供了為應用優化的動態範圍的工藝參數。AIXTRON G 3 2600配備了一系列高級功能,非常適合各種應用。其創新的設計使均質薄膜具有優異的保形膜均勻性和均勻摻雜，而其低熱成本氣源使氧化物沈積在較傳統沈積技術相比具有較高的平面度。此外，它的可調整熱預算還可以為單層和多層結構提供廣泛的薄膜應力。G3 2600反應堆還通過具有過程反轉功能的高級批量控制軟件提供增強的自動化和過程監控。此軟件便於預先編程的流程協議,並使操作員能夠快速輕松地優化其系統參數。此外，AIXTRON G 3 2600的設計符合所有環境法規和事件預防法規，而工藝室的自動聯鎖將在發生任何潛在危險時立即停止該流程。此外,射頻墊圈和鐵氧體混合等特性也有助於減少/消除膜汙染,其密封幾何形狀確保了密封處理環境。G3 2600具有廣泛的特點，是廣泛研究和工業應用的理想反應堆。它為先進材料的生產提供精確的控制，可靠、高效、通用，是任何先進材料應用的絕佳選擇。
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