二手 AIXTRON G3 2600 #9214303 待售
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已售出
ID: 9214303
晶圓大小: 4"
優質的: 2007
MOCVD Systems, 4"
LED for GaN
Wafer size : 4" x 8", 2" x 24"
Heating type: RF Induction heater
Epi-tune: In-situ reflectance spectra
MO Source: TMGa, TEGa, Cp2Mg, TMIn, TMAl
Operating system: Windows
Gas system:
Gas line: VCR Type
MFC: Bronhost, N2 / H2 / HCL / SiH4 / NH3
Carrier gas: H2 Flow 70L/min; N2 flow 70L/min
Vacuum system:
Process pump: EBARA ESA25D
Filter: Exhaust gas filter with separate water cooling unit
Pressure control: MKS651 Controller, throttle valve
Cooling system:
Cooling liquid: Water
Maximum inlet pressure: < 6 Bar
Differential pressure: > 4 Bar
Inlet temperature: < 25º C
Outlet temperature: < 65º C
Includes:
GMS Cabinet
Reactor cabinet
Exhaust and chamber
Scrubber
RF Generator
Particle filter
Pump
Power supply: 208 V, 50/60 Hz, 3 Phase
2007 vintage.
AIXTRON G3 2600是下一代半導體制造反應堆，使工業能夠生產高性能商用半導體器件。AIXTRON G3是一種等離子體增強化學氣相沈積（PECVD）反應器，是高溫環境下用於將氧化物、氮化物、多晶矽等薄膜材料沈積到基板上的沈積技術形式。這座反應堆是專門為滿足現代半導體制造工藝的高端半導體增長要求而設計的。G3 2600利用多個RF（射頻）通道、一鍵模型控制（OMC）、高效雙等離子體源等先進特性，最大化均勻性和過程控制。多個射頻通道允許控制不同的反應堆參數，包括壓力、溫度和自由基密度，從而能夠精確監測反應堆環境。OMC簡化了工藝設置，降低了風險，而高效雙等離子體源確保了多個晶片基板的均勻性。AIXTRON G 3 2600還配備了11區FP-Al2O3設備，降低了沈積過程中產生顆粒的風險。這個FP-Al2O3系統包含一個定制設計的陶瓷襯裏，降低了顆粒水平，同時還提供了改進的散熱。此外，先進的溫度控制裝置可以精確監測反應物溫度，精度高達0.1°C。除了在過程控制和均勻性方面的優勢外，G3 2600還提供了許多其他功能。其中包括一臺內置脫氣機，它可以從反應堆環境中去除不需要的空氣、氧氣和揮發性有機化合物，以提高純度和高生產率能力。AIXTRON G 3 2600是一種堅固可靠的反應堆工具，在滿足現代半導體制造工藝的高端半導體增長要求的同時，提供了出色的階躍覆蓋和均勻性。G3 2600具有先進的特性、精確的工藝控制、高生產率，是半導體器件生產的理想選擇。
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