二手 AIXTRON G3 #9040737 待售
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已售出
ID: 9040737
MOCVD Systems, 24x2"
No. of wafers per carrier: 24x2"
Process: GaN
Gas Configuration: NH3, H2, N2, SiH4, TMGa, TMAl, CP2Mg, TEGa, TMIn
No purifiers
Packaged and placed in a warehouse.
AIXTRON G3是AIXTRON設計的一種反應性離子蝕刻(RIE)反應器,用於廣泛行業的專門、高精度蝕刻需求。它完全能夠處理幹蝕刻和濕蝕刻過程,並且與各種化學和物理蝕刻過程中使用的各種氣體兼容。AIXTRON G 3具有20英寸x 20英寸的大腔室,具有高達12英寸的高度間隙,旨在生產具有高長寬比和高特征分辨率的蝕刻輪廓。它包括一個標準的石英鐘形罐,其設計具有先進的蝕刻幾何形狀和高度優化的工藝參數。G3利用ICP源技術,產生先進的放電和等離子體蝕刻吞吐量。該技術與可變直流電源相結合,產生更高的蝕刻速率和更好的均勻性。該室還具有可調節的反向偏差,以改善蝕刻選擇性和絕緣的完美蝕刻結構,最小的表面損傷。G3具有全套過程監控元件,包括壓力控制、溫度傳感器、自動清除循環控制和蝕刻時間控制。板載控制器采用集成的硬件和軟件控制以及真空進給方式設計,便於連接到外部系統。該系統還具有自動強化功能,使蝕刻速率在長蝕刻周期內保持優化。AIXTRON G3被設計為一種多合一蝕刻解決方案,可用於多種研發、生產和工業設置。該系統設計易於使用且極可靠,並已被證明可以蝕刻廣泛的材料,包括多晶矽、氧化矽、金屬和其他常見材料。此外,即使在需要高長寬比、高長寬分辨率或低蝕刻速率的過程中,系統也可以安全有效地蝕刻這些具有高速和卓越吞吐量的材料。
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