二手 AMAT / APPLIED MATERIALS 0010-03254 #293763796 待售
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單擊可縮放
ID: 293763796
晶圓大小: 8"
MCA E-Chuck assembly, 8"
Bellows leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
Helium line leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
SUS Cover leak: 1 x 10E-9 cc/s, He
ESC:
Pad dimple height: 3 Microns
Depth of groove: 59 microns
Luminosity: 160-170
Flatness of WF Zone: 0.04-0.05 µm
Cables and resistivity:
Resistivity of electrodes: 1-2: 17.8 Ω
Resistivity of electrodes: 3-4: 4.9 Ω
TC 1: 10.2 Ω
TC 2: 8.7 Ω
Chucking test (±300 V / Bi-polar type):
600 V 1st(-): 300 V
600 V 2nd(+): 300 V
90° (No sliding).
AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Reactor是一種先進的離子植入設備，設計用於半導體制造過程和相關的微加工應用。該系統由具有精密離子源組件的高真空室和用於控制離子束方向和光斑大小的離子束準直儀組成。用射頻電源加速離子束，然後聚焦到樣品級。腔室可通過腔內渦輪泵和閘閥進行疏散和激活。AMAT 0010-03254反應堆包含離子源技術，使各種工藝參數能夠得到精確控制。源中的有源高能元素提供了更好的可靠性、過程穩定性和快速啟動，同時也使其成為低溫和高能過程的理想選擇。穩定的放電使源物種電離，並使用雙極射頻源控制離子能量。源加熱元件將源物種精確霧化解離，氣閥可用於控制源物種的流量、壓力和組成。離子的能量擴散由兩個獨立的柵格控制。EXPLICED MATERIALS 0010-03254 Reactor包含一個束診斷單元，包括角度和飛行時間掃描以及用於表征離子束的可抽取束電流測量。一個可選的計算機控制的樣品階段可用於工件定位，使掃描植入物和X，Y平面樣品運動精確劑量控制。該機還包含一個獨立的端泵，用於快速疏散。磁電子多極用於光束聚焦，可針對高電子郵件角和低能角進行調節。0010-03254反應堆能夠以多種模式運行，包括單晶片和批處理模式，可用於植入任何種類的離子。該工具提供高達兩毫安培的電流、可調偏置電壓和0-980 °C的有源溫度範圍。資產可以容納任何樣本量/形狀，包括多個晶圓，壓力範圍在10-3至10-7 torr之間。最大光束能量為50至500 keV,具有先進的過程監控和機器操作功能。AMAT/APPLIED MATERIALS 0010-03254 Reactor是一種高效率且先進的模型，執行廣泛的臨界半導體製造過程。
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