二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #9198283 待售
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ID: 9198283
晶圓大小: 8"
優質的: 2000
HDP CVD System, 8"
Wafer shape: SNNF
Chamber configuration:
Chamber A: HDP Ultima TE process chamber
Chamber B: HDP Ultima TE process chamber
Chamber C: HDP Ultima TE process chamber
Chamber E: Multi cooldown chamber
Chamber F: Orient chamber
Loadlock configuration:
Loadlock type: Narrow body
Auto rotation
Cassette type: 200mm
Mapping function: FWM
Vent type: Variable speed
Fast vent option
Mainframe configuration:
Buffer robot type: HP+
Buffer robot blade: Ceramic blade
Status light tower: RYG
Remote monitor: Table mount
Includes:
SMC Thermo chiller INR-498-001B
RF Generator type: ETO RF System
Standard gas panel
With (3) sets gas pallet
LEYBOLD MAG2000 Turbo pump
Gate valve: NC
Electrical configuration:
Line voltage: 208V
Full load current: 320 A
Frequency: 50/60Hz
2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200是一種先進的等離子體反應器,設計用於生產電子微器件。作為等離子體增強化學氣相沈積(PECVD)反應器,AMAT Centura 5200比其他沈積機理有多項優勢,如化學氣相沈積(CVD)或熱CVD。APPLIED MATERIALS Centura 5200系統的主要部件是等離子室、電源、真空泵、玻璃器皿、計算機控制的過程室以及支持硬件。等離子體腔室是一個真空腔室,包含一種過程氣體,如氮氣或氙氣,以及少量的前體氣體,如矽烷。氣體的這種組合是產生室內等離子體的原因。電源提供產生等離子體所需的能量。Centura 5200中的玻璃器皿包括沈積板、基板級、出口管以及其他各種有助於調節工藝區尺寸和溫度的組件。基板階段是沈積過程所必需的,並將基板(晶圓或轉移基板)固定到位。沈積板是將氣體引導至基板上所需位置所必需的。出口管道從等離子體室輸送廢氣。該工藝室是一個封閉式容器,帶有計算機控制的溫度傳感器和預處理氣流控制器。氣體流動控制器調節沈積過程所需的氣體流動,並在腔室內保持恒定溫度。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200使用空氣基機理產生等離子體,導致沈積速率高,基板上沈積物均勻性好。AMAT Centura 5200內的真空泵用於維持等離子體腔內的壓力,也用於疏散沈積過程的任何副產物。這確保了腔內的過程氣體不受任何雜散原子或來自反應的粒子的影響。最後,APPLIED MATERIALS Centura 5200的支援硬體設計為反應堆的運作提供整體支援。這包括空氣閥、壓力傳感器、溫度傳感器和關閉設備等組件。這些組件通過允許調整氣體流動、氣體壓力和溫度以及其他參數來監測和控制反應堆的運行。總體而言,Centura 5200 PECVD反應堆是制造多種微型裝置和產品的可靠和高效的系統。它將先進的部件和計算機控制的工藝室結合在一起,確保以盡可能最有效的方式實現最高質量的沈積。
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