二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura 5200 #9198786 待售

ID: 9198786
晶圓大小: 8"
優質的: 2003
HDP CVD System, 8" Wafer shape: SNNF Chamber configuration: Chamber A: HDP Ultima TE process chamber Chamber B: HDP Ultima TE process chamber Chamber C: HDP Ultima TE process chamber Chamber E: Multi cooldown chamber Chamber F: Orient chamber Loadlock configuration: Loadlock type: Y body Auto rotation Cassette type: 200mm Mapping function: FWM Vent type: Variable speed Fast vent option: Yes Mainframe configuration: Buffer robot type: HP+ Buffer robot blade: Ceramic blade Remote monitor: Table mount Clean system: RPS ( Remote Plasma) clean Includes: Normal TE gas panel LEYBOLD MAG2000 Turbo pump Gate valve: NC Electrical configuration: Line voltage: 208V Full load current: 320 A Frequency: 50/60Hz Missing parts: Chiller RF Rack 2003 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200是一種化學氣相沈積(CVD)反應器,設計用於半導體的工業制造。這種多室反應器支持同時沈積多達三種材料,用於銅雙大馬士革結構、高縱橫比接觸和MIM電容器結構以及先進的金屬互連等應用。AMAT Centura 5200憑借其獲得專利的Tamarac Amox Etch單晶片模塊和雙向下加載工藝能力,為高質量、高性能半導體器件的可靠生產提供了條件。APPLIED MATERIALS Centura 5200的核心是它的五個系統組件,可確保優化的過程性能和出色的過程控制。Centura 5200配備了現場復雜模塊(OCM),它利用先進的基於模型的控制技術在不同的操作條件下實現快速、精確的過程調整。本模塊提供晶圓質量、沈積速率和工藝均勻性方面的近乎實時的反饋。此外,晶片電氣測試(OWET)模塊支持晶片電氣特性的快速測試,而單晶片蝕刻模塊(SWEM)可確保快速準確的蝕刻過程。AMAT/APPLICED MATERIALS Centura 5200還配備了雙向下載荷能力以提高吞吐量,同時還配備了用於改進處理大型基板的可轉動的撥片。AMAT Centura 5200還具有用戶友好的圖形界面,用戶可以輕松訪問流程配方、檢查沈積配置文件或調整流程參數。通過OCM,三個集成腔室使多層沈積能夠產生高質量的銅雙大馬士革結構,並使MIM電容器和接觸結構具有75 nm以下的縱橫比特征。其集成的隔熱特性有助於最小化光束汙染,最小化晶圓未對準。大型機的設計還具有可擴展性,能夠集成多達六個腔室,同時測試多種材料或工藝。通過與主要IC制造商的工具包集成,APPLIED MATERIALS Centura 5200可幫助制造商提高產量並加快設備的上市速度。它專為易於維護而設計,支持最多一百萬小時的平均故障間隔時間(MTBF)。這使制造商能夠受益於提高的設備性能和縮短的停機時間。總體而言,Centura 5200專為高性能、高通量的工業應用而設計,並提供先進的沈積功能,可幫助更快地將新設備推向市場。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura 5200結合了堅固的材料沈積、過程控制和可擴展性特點,是制造先進半導體器件的理想選擇。
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