二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9096042 待售
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已售出
ID: 9096042
晶圓大小: 12"
Epitaxial silicon (EPI) System, 12"
Position A: Yes
Position B: Yes
Position C: Yes
Position D: Yes
System software: B2.7_39
FiCGUI: fB4.90_15 Beta
GP: gB7.50_11
WIP Delivery type: OHT WIP delivery
(2) Load ports
Remote control system capable: NO
eDiagnostics ready: Yes
Docked E99 reading capability: Yes
Load port types: Enhanced 25-Wafer FOUP
Docking flange shield: Yes
Air intake system: Top intake
E84 carrier handoff: Upper E84 interface enabled OHT
E84 PIO sensors and cables: Upper E84 sensor an cable
E99 Carrier ID: TIRIS
With RF
Operator access switch: Yes
Carrier ID host interface: No
OHT Light curtain: Light curtain
SECS Trace: Yes
Single axis aligner: Single axis aligner
Robots: No
Mainframe type: CORE ENP BLOCK 2
LL: Batch load lack
Chamber Interface: Vented stainless stell insert
Pumps:
Process pump: EDWARDS iH1000SC, 100 Hz
Transfer Pump: ALCATEL ADS602
LL Pump: ALCATEL ADS602
Baratrons : MKS
Lift Pins: Hollow silicon carbide graphite
Recipe control AccuSETT: Yes
Lamp type: USHIO 0190-31284
Process temperature: PID Control real time display
Emissivity: 0.55 to 0.75 upper and 0.6 to 0.8 lower
Upper/Lower Gain (kw/C): 0.5 NOT allowed to adjust but capable
Upper/Lower TI (sec):
10s Upper
20s Lower
Gas panel feed: Bottom
Pump purge: YES
Regulators and displays Transducers and regulators
SiH2CI2 Stick 07: DCS (500 sccm)
HCl Stick 03: HCL (500 sccm)
SiH4 tick 04: SIH4 (500 sccm)
H2 NIL
H2 Main Stick 01: Purge main (100000 sccm)
H2 Slit Stick 02: Purge slit (30000 sccm)
3 degree flared in upper outer
threaded upper inner: threaded upper inner 0041-01969
FTGNIP QDISC: FTGNIP QDISC 3/8BODY X 3/8-18FP1.71"LSST303 3300-01720
Phase II hardware
Shaft
6-arm susceptor support:
Reflector
Base
Lower mid
Top
Lower mid
H2 Purifier: Yes
Currently de-installed.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP RP是一種先進、高性能的半導體制造等離子蝕刻加工反應器。它具有高效的沈積系統,具有專門設計的濺射電極和獲得專利的Costar可旋轉工藝(CRP)設備,用於精確控制工藝參數。通過仔細的過程控制和準確的沈積,CRP可以優化過程並提高產量.ACP RP是為一系列半導體處理需求而設計的,包括CMOS和III-V器件。它能夠現場物理沈積和化學沈積,通過先進的精度和精確度提供更高的工藝控制。ACP RP反應堆由射頻等離子體供電,為半導體應用生產多種材料提供了有效的等離子體源。該反應器具有從蝕刻和離子註入到選擇性沈積的廣泛工藝能力。它利用專有軟件和獲得專利的Costar Rotatable Process對電極和等離子體路徑進行精確對齊,以便在晶圓上最優地沈積層。該系統還具有高效的真空系統,並配有專門的工藝室,以提高沈積的均勻性。這使得沈積過程的整個過程具有更高的均勻性。特殊工藝室降低了噪聲水平,提高了沈積性能。此外,ACP RP具有e-Beam Driven Process Sources(EBPS),能夠在一個步驟中快速蝕刻、離子植入和其他等離子處理技術。ACP RP配備了先進的控制系統,可以對工藝參數進行精確的控制。這確保了可重現、高產量的結果,使得ACP RP適合廣泛的應用。此外,ACP RP易於擴展,具有可旋轉平板、Unigy靜電卡盤(ESC)、RoboSTAT Process Control Software等可選功能。所有這些功能確保了一致和可預測的結果,在生產環境中實現了優化的吞吐量和提高的產量。ACP RP專為快速、無故障的操作而設計,並提供卓越的功能,使其適合各種半導體制造工藝。其先進的射頻等離子體源和高精度的過程控制使得它成為任何需要可靠性和準確性的過程的絕佳選擇。AMAT Centura ACP RP具有強大的設計和性能,是高容量和復雜等離子體蝕刻處理任務的理想選擇。
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