二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP RP #9168768 待售

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ID: 9168768
晶圓大小: 12"
優質的: 2008
EPI System, 12" Includes: HDD Factory interface options: Wafer transfer robot: YASKAWA Robot Load port types: TDK25 Wafer FOUP V2 (3) Loadports Power supply: FFU 208 VAC Controller 110 VAC ULPA Filter: PTFE Boron free ULPA Orienter: Pre aligner End effecter: Edge grip PEEK material Remote options: Monitor 1: 17" Flat panel with keyboard on ergo arm Mainframe options: Mainframe type: ACP BLOCK 2 Loadlocks: Batch loadlock Chamber interface: Vented stainless steel insert and door with viton DVR Record license Water hose fittings: Yes Water module stand: Yes Upper frame H2 leak detector: Yes Chamber A/B: (RH3) Reduced pressure EPI Lamp type: USHIO BNA8 MFC: UNIT 8561 Pump purge: Yes Regulator and displays: Transducers and regulators Transducer display type: SI (KPA) H2 Leak detector: Single H2 50slm H2 10slm HCL 500sccm HCL 15slm SiH4 500sccm SiH2Cl2 500sccm GeH4 500sccm Direct dopant x 2 line Dopant mixer 2line Spare 1 line 100sccm Aux GeH4 line 100sccm Currently warehoused 2008 vintag
AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA ACP RP(RapidPulse)等離子體增強型化學氣相沈積(PECVD)反應器是半導體制造工業用於薄膜沈積的高性能、多室平臺。AMAT Centura ACP RP能夠為設備生產過程沈積各種材料層,如氧化物、氮化物、金剛石樣以及摻雜劑。APPLIED MATERIALS Centura ACP RP具有單晶片清潔區和加熱的原位電子回旋共振(ECR)源。該源產生電離的物種和自由基,轟擊底物以獲得最佳表面活化和增加附著力。ACP RP還具有先進的工藝系統,可提供卓越的溫度控制、均勻的薄膜和最小化的工藝復雜性。它將射頻敏感器加熱和架空冷卻與精確的溫度精度相結合,以保持納米級模具和全晶片之間的均勻性。該反應堆配有各種原位感應和控制系統,包括等離子體發射傳感器、象限零件壓力傳感器、熱傳感器、離子計和專用過程控制系統,旨在隨時精確監測基板溫度和加工室壓力。此外,ACP RP的負載鎖定室使晶片能夠自動從晶片支架加載和卸載,而不會影響工藝質量。這有助於確保統一的過程結果,同時消除在手動裝卸時可能發生的碎片。再者,ACP RP的模塊化設計使晶圓架得以更換,反應堆的晶圓處理可以定制以滿足設備要求。Centura ACP RP提供卓越的性能和可靠性,產量超過行業標準。ACP RP具有高吞吐量、低占地面積和先進的工藝控制能力,是要求苛刻的半導體生產環境的理想選擇。
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