二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura ACP #293592988 待售
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已售出
ID: 293592988
晶圓大小: 12"
優質的: 2010
EPI System, 12"
CIM: SECHS / GEM
Process: Epitaxi
SiCoNi pre clean chamber
(2) Chambers: RP, EPI
Buffer
FOUP
(2) SiCoNi heatexchangers
(2) AC powerboxs
2010 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP Reactor是一種最先進的化學氣相沈積(CVD)工具,旨在促進薄膜材料在基板上的優越邊緣定義的膜饋電生長(EFG)。它非常適合用於制造小體積、高性能光學、半導體和MEMS器件層。AMAT Centura ACP Reactor高效且經濟實惠,在大大小小的區域內都能實現卓越的薄膜均勻性,並將徹底改變整個行業的芯片制造。應用材料Centura ACP Reactor的核心是一種新型的高效直接等離子體源,它可以最大程度地控制過程,同時最大程度地減少薄膜的不均勻性,即使具有快速的晶圓掃描速率。這是由於其低氣流,允許空間定位膜生長和改進沈積速率控制均勻沈積剖面。這種復雜的技術結合提供了比任何現有設備更精確、更經濟的EFG能力。Centura ACP進一步配備了響應性的原位蝕刻(I-S-E)功能,允許現場制造復雜的工藝組件和薄膜層。它在一個系統中提供了高效率的蝕刻、沈積和表面修改技術,不需要昂貴且往往耗時的蝕刻。此外,AMAT/APPLIED MATERIALS Centura ACP還配備了先進的氣瓶安裝裝置,可安全方便地接觸多種試劑。AMAT Centura ACP Reactor的其他創新特性包括新的專利底物支架,提供最佳的熱穩定性和最小的熱損失。這樣可以最大程度地減少熱梯度,並確保薄膜生長過程中的均勻性,而無需復雜的熱管理系統。此外,該機器還配備了專利的室內和室外混合室和氣體混合器技術。這允許在薄膜生長區進行精確的氣體混合和輸送,允許一系列氣體濃度和控制薄膜生長速度。APPLIED MATERIALS Centura ACP Reactor是CVD技術令人印象深刻的進步。通過提供一系列創新功能,它有助於在大大小小的區域中實現高效、可靠的一致性和性能。它非常適合半導體、MEMS和光學薄膜器件制造中的應用,能夠更快、更經濟高效地制造,同時提供無與倫比的控制級別。Centura ACP Reactor被設定為業界的改變遊戲規則者,通過先進的EFG技術革新晶片製造。
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