二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura AP Ultima X #9329246 待售

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ID: 9329246
晶圓大小: 12"
優質的: 2007
HDP CVD System, 12" Chamber A, B and C: Chamber type: Ultima X HDP CVD RF Source: 1.8-2.17 MHz (Maximum 10000 W) RF Bias: 13.56 MHz (Maximum 9500W) RF RPS: 400 kHz (Maximum 6000W) Gas configuration (SCCM): MFC Full scale Gases: Gas / Range O2 / 400 SCCM NF3 / 100 SCCM HE / 600 SCCM SiH4 / 300 SCCM H2 / 1000 SCCM AR / 1000 SCCM SiH4 / 50 SCCM HE / 400 SCCM NF3 / 200 SCCM NF3 / 3000 SCCM AR / 3000 SCCM Does not include: Hard Disk Drive (HDD) 2007 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura AP Ultima X是一種先進的超清潔等離子體反應器,設計用於制造新型和先進的納米級集成電路。該等離子體反應堆采用獨特的設計特點,確保在蝕刻和沈積過程中均達到最高性能水平。這種等離子體反應器利用徑向均勻性循環技術,在溫度、壓力和真空變化的影響下自動保持整個晶片相同的蝕刻特征大小。此外,與其他等離子體反應堆相比,這種等離子體反應堆提供了極快的啟動時間,從而以較低的成本實現了快速的過程周期。AMAT Centura AP Ultima X具有較大的4英寸晶圓表面積,可實現最佳的吞吐量和生產率,可為高吞吐量要求提供高達600mm/秒的蝕刻速度。針對優越的晶片表面接觸優化了壓力船設計,最大限度地提高了晶片整個表面的蝕刻均勻性,確保不產生蝕刻熱點。此外,這種先進的設計確保了APPLIED MATERIALS Centura AP Ultima X非常適合在晶圓上施加最小偏差的情況下蝕刻高長寬比結構。Centura AP Ultima X等離子體反應堆還提供完全集成的自動化/可編程性,允許用戶針對任何給定的應用精確調整蝕刻工藝參數。該等離子體反應堆還配備了自我診斷和運行/過程監控,以幫助確保更可靠、可重復的過程。該系統具有先進的氣體和等離子體控制系統,保證了工藝的最高水平的可重復性和均勻性,使產量更好。AMAT/APPLIED MATERIALS CENTURA AP Ultima X等離子體反應器是廣泛集成電路蝕刻和沈積應用的理想解決方案,滿足工業和研發生產的要求。這個先進的系統具有獨特的設計特點和集成的自動化和過程控制系統,為蝕刻和沈積過程提供了最高的性能。
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