二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS R1 #9189045 待售

ID: 9189045
晶圓大小: 8"
優質的: 1997
Poly metal etcher, 8" C1P2 WBLL HP DPS+ Poly (TwG, TMP: STP-2203) DPS R1 Metal (TwG,H1303) ASP VDS Gen: AX2115 OEM 12B3 GMW25 AE Atlas 2012 1997 vintage.
AMAT/應用材料AMAT/應用材料Centura DPS R1是為等離子體增強沈積工藝技術而設計的前沿反應器。DPS R1設計用於沈積半導體器件制造的介電層、絕緣體層和屏障層。該反應器是在滿足最嚴格工藝要求的同時最大限度提高裝置產量和性能的最佳解決方案。DPS R1有一個低溫等離子體(LTPTM)源,允許在提高過程穩定性和吞吐量的情況下執行溫度敏感的過程。它還具有耐火金屬離子註入選項(RMIIO),有助於保持等離子體物種分布均勻,有助於無缺陷沈積。DPS R1具有開放式管設計,使反應性等離子體能夠有效地傳遞和均勻地傳遞到晶圓表面。自動化遠程等離子體源(RPS)使反應堆的運行參數調整變得容易,SmartPlasmaTM控制技術確保了快速、可重復的調整。反應堆的高級邊緣排除系統(Advanced Edge-exclusion System, AES)可防止晶圓邊緣效應,並確保整個沈積過程的均勻性。閉環脈沖Power™ (CLPP)提供簡單的功率控制和穩定的等離子體參數,以維持所需的目標規格。多區磁性基板控制(MMSC)有助於減少離軸陰影效應,並確保基板在晶圓卡盤上的精確定位。DPS R1還提供了一系列模塊化選項,例如用於擴大等離子體覆蓋範圍的輔助電極和用於精確掃描控制的高級基板運動機械系統(ASMS)。該反應堆還有一個節能的ATC出口選項和一個多區域靜電卡盤,對直徑不超過8英寸的基板進行可靠的熱管理。DPS R1確保了對腔室參數、等離子體種類和功率水平的精確控制。此外,這種先進的反應堆由於其全面的設計,允許高吞吐量和較低的擁有成本。適用於600°C以下至800°C以上的溫度和過程,非常適合各種應用,如內存介電層沈積、高k屏障材料、低k介電層等。
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