二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DPS #9206770 待售
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ID: 9206770
晶圓大小: 8"
Metal etcher, 8"
Loadlock: Wide
Robot: VHP+
Position A: Metal DPS+
Position B: Metal DPS+
Position C: ASP+
Position D: ASP+
Position E: Fast cooldown
Position F: Orienter
CH A / CH B :
Metal DPS R1 chamber options:
Process application: DPS+
Upper chamber body: Anodizing
Electrostatic chuck type: Polymide
Turbo pump: SEIKO SEIKI STPH 1303C
DTCU: E-EDTU
Endpoint type: Monochromator
Bias generator: OEM 12B (-08)
Bias match: 0010-36408
Source generator: ENI GMW-25A, 2500W
Throttle valve and gate vave: VAT TGV
CH C / CH D :
ASP+ Chamber options:
Process kit: Chuck
Auto tuner: Smart match3750-01106
Magnetron head: 0190-09769
Generator: ASTEX AX2115
Process control: Manometer
Gas box:
VDS type: 750SCCM
IHC Module: MKS 649
Transfer chamber options:
Transfer ch Manual Lid Hoist: Yes
Robot type: VHP+
Cable length:
Umbrical: 55FT.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DPS是一種高性能的等離子體芯片熱處理設備，能夠在半導體晶片上產生詳細的圖樣和器件。它使用介電壁等離子體源將薄膜沈積在各種電子和器件制造應用上。該設備采用堅固的自穩定工藝，簡化了開發，便於均勻性和均勻的薄膜化學計量。DPS具有射頻輸電系統,可實現穩定的薄膜沈積、陡峭的溫度狀態變化和低壓沈積,其通量高於同類工藝,質量相同或更高。DPS利用工業微波源，生成鈦鋁等金屬的高密度等離子體源。然後將等離子體註入一個包含一系列不同構型的介電壁的工藝室。這些壁有助於控制等離子體的流動，使薄膜在平面和曲面上均勻無接觸沈積。控制器主板提供對循環時間和熱量的嚴格控制,允許精確的時間和溫度控制,同時允許一次在單個晶片上對薄膜進行精確的低壓沈積。該加工室采用高溫陶瓷和玻璃部件建造。它利用真空針床設計，對等離子體的壓力和溫度提供精確的控制，允許各種薄膜厚度和組成矩陣。介電壁有助於更好地控制沈積速率，同時最大限度地減少汙染問題。壁可以很容易地調節，並且在腔室致動時是自清潔的。DPS系統是一種高質量、高成本效益的設備，它提高了吞吐量，並為生產各種用途的半導體晶片提供了均勻的薄膜沈積。該系統允許定制蝕刻、圖樣化和薄膜沈積，以及為設備和電路應用生產各種柵極氧化物、柵極電介質和絕緣層。該設備快速可靠，是半導體制造生產和研究的重要設備。
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