二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9176687 待售
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ID: 9176687
Chamber, 8"
Wafer shape: SNNF
Chamber type:
PE TEOS DxZ (Delta MF oxide)
Chamber B:
Frequency type: Mixed
Heater: 0010-050254
Manometer type: Single 100 torr
Throttle valve: Dual spring
Chamber O-ring: Chemraz
Cover plate: Dimpled
Clean method: RF
Endpoint detector: Chamber
Gas delivery option:
Single line drop: No
Valve: FUJIKIN 5 Ramax
Filter: Millipore Ni 10 Ramax
MFC: STEC 4400 MC
Regulator: Verfilo
Transducer: MKS with display
Display gas pallet: Yes
Gas pallet:
Line 4: N2 Purge
Line 5: N2 Purge
Line 6: NF3 300 sccm
Line 7: C2F6 2 SLM
Line 8: O2 3 SLM
Line 9: N2 1 SLM
Liquid sources:
TEOS Delivery type: EPLIS
MFO Type: Unit 1661C
TEOS LFM: 1.5 QFM
LFM maker: STEC
Carrier 1: HE 3 SLM
Cable length:
Controller signal cable: 25ft
RF coaxial cable: 50ft
Pump signal cable: 50ft
RF generators:
HF RF generator: AE RFG 2000-2V
LF RF generator: AE PDX 900-2V.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ Reactor是一種先進的原位高溫化學氣相沈積（CVD）設備，設計用於加工矽和復合半導體材料，用於先進的器件制造。它是為制造過程和研發實驗室而建造的。該系統具有真空密封的模塊化腔室，並配備了溫度和氣體控制裝置，以及樣品處理和現場診斷功能。AMAT Centura DxZ Reactor能夠處理矽和復合半導體材料，可以配置為單晶片或批處理工具。該機組還配備了先進、高效的渦輪分子泵，能夠輸送高真空壓力，標稱性能為2x10-4Torr。該機器設計用於在高達1050°C的溫度下處理矽和復雜的復合半導體薄膜，並且可以配置可選的激光加熱系統和樣品卡盤，以達到更高的溫度。在675°C的腔室中,環境控制的腔室可實現穩定的過程溫度和氣體控制,從而提高了過程均勻性並減少了熱漂移,溫度均勻性±為3°C。該工具能夠對多達8種氣體進行精確的氣體流量控制和純氣體輸送，對多達8個區域進行單獨的流量控制，並具有提高工藝均勻性和降低膜汙染風險的批量處理能力。該資產還配備了現場診斷和閉環反饋模型，旨在保持流程的統一性和可重復性。這種反饋設備可以準確地監視、記錄和控制整個過程，而現場診斷能夠測量、監控和控制薄膜厚度和其他參數。該系統還能夠執行額外的、不同的cuicuy過程，例如外延沈積，以便在復雜的半導體薄膜層中實現所需的材料特性。APPLIED MATERIALS Centura DxZ Reactor專為生產和研究而設計,提供高性能的過程能力、一致性和可重復性,以滿足一系列應用和研究需求,包括先進的設備制造、薄膜太陽能電池等。利用其能力，該裝置有望顯著提高薄膜沈積效果和精度，降低成本並提高器件產量。
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