二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura DxZ #9233113 待售
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ID: 9233113
System, 8"
Process: SIN
Wafer shape: Notch
Chamber type:
Chamber A, B & C: DxZ (SIN)
Chamber E (MS Cool)
Chamber A & B & C:
Manometer: 100/2
Heater: AL
Clean method: AE 2000-2V
Pressure method: Direct drive throttle valve
System monitor:
Monitor 1: Through the wall
Monitor 2: Stand alone
Mainframe:
Loadlock: Narrow body
HP Robot
OTF
Gas delivery option:
MFC Type: STEC 4400MC
Filters: MILLIPORE
Regulators: VERIFLO
System cabinet exhaust: Top
Single line drop
Cables:
Qty / Part number / Description
(1) / 0150-76207 / Cable, assy main frame umbilical
(1) / 0150-76208 / Cable, assy main frame umbilical
(1) / 0150-76209 / Cable, assy main frame umbilical
(1) / 0150-76211 / Cable, assy pneumatics umbilical
(3) / 0150-76206 / Cables, assy, chamber umbilical
(1) / 0150-76210 / Cable, assy, load lock umbilical
(1) / 0150-76176 / Cable, assy, chamber E umbilical
(1) / 0150-35880 / Cable, assy, robot controller
(1) / 0150-10234 / SYS Interconnect cable
(1) / 0150-76198 / Assy cable
(1) / 0150-20100 / Cable, assy.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ是一種高功率等離子體蝕刻反應器，設計用於從半導體中去除不同種類的材料。它使用專利的高密度等離子體（HCD）技術，通過使用遠程加熱的高密度等離子體源來產生高功率等離子體。從基材中去除材料的過程稱為蝕刻，AMAT Centura DxZ被設計為在介電、金屬和有機層上蝕刻基材，精度和表面均勻性異常高。APPLIED MATERIALS Centura DxZ是一種全自動設備，由一個可同時處理多達十個基板的旋轉臺和一個垂直圓柱形反應堆室組成。樣品被放置在桌子的平臺上，並自動送入創建等離子體的腔室。等離子體在真空中產生，保持在一定的溫度和壓力下，以確保蝕刻過程盡可能有效和均勻。該系統還設有端點檢測單元，用於準確監控過程，並在達到所需蝕刻深度時進行檢測。使用Centura DxZ的主要優點是能夠以更高的蝕刻速率進行蝕刻。大功率等離子體允許更快的處理，允許創建質量更高、周轉速度更快和生產成本更低的設備。此外，該機器被設計為提供極高的過程均勻性，這意味著多個晶片將具有相似的特性。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura DxZ是那些需要對其基材進行高功率蝕刻工藝的用戶的理想選擇。AMAT Centura DxZ具有自動化功能、更高的蝕刻速率、更好的均勻性和更低的擁有成本,是蝕刻半導體基板的有力選擇。
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