二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura Epi #9249281 待售
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已售出
ID: 9249281
晶圓大小: 12"
優質的: 2002
System, 12"
Platform type: Centura, 12"
(2) Chambers
System configuration:
Application level 1: Reduced pressure
Application level 2: Reduced pressure
Chamber A: (RH3) Reduced pressure EPI
Chamber B: (RH3) Reduced pressure EPI
Electrical: SEMI
Chamber A:
Thickness control option: AccuSETT 2
Recipe control AccuSETT
Lamp type: USHIO BNA8
Chamber B:
Thickness control option: AccuSETT 2
Recipe control AccuSETT
Lamp type: USHIO BNA8
Gas delivery
Pump purge
Transducer display type: SI (KPA)
Single H2 leak detector
Gas pallet:
Slots / Chamber A / Chamber B
Slot 1 / N2 / N2
Slot 2 / HCL / HCL
Slot 3 / SiH4 / SiH4
Slot 5 / Si2H6 / D-DOP#1
Slot 6 / HCL / D-DOP#2
Slot 7 / DCS / DCS
Slot 8 / GeH4 / GeH4
Slot 9 / M-DOP#1 / M-DOP#1
Slot 10 / M-DOP#2 / M-DOP#2
Main frame:
Type: STD Centura
Batch loadlocks
Upper frame H2 leak detector
Mass flow verification
YASUKAWA Wafer transfer robot
Pre aligner orienter
End effecter: Edge grip peek material
2 Slots wafer storage
Wafer mapping: LED Sensor detector
(2) Load parts
2002 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura Epi Reactor是半導體器件制造過程中精密沈積和處理外延氧化物層的先進設備。AMAT Centura Epi反應堆配有氣體輸送系統和真空室，旨在在整個處理區域實現精確的均勻性和精確的一致性。該腔室具有多層次的自動化能力，允許針對不同外延氧化層的各種工藝配方。Centura的EPI反應堆可用於最大程度地提高生長速度和最小化缺陷密度，從而產生最光滑、最密集、最均勻的外延氧化層。最終產品的全局一致性確保了可靠可靠的設備性能。這種均勻性是通過優越的工藝自動化和先進的沈積力學相結合實現的，可以減少整個工藝時間。Centura的EPI反應堆通過四級調制射頻源采用先進的阻抗耦合控制設計，可提供對外延氧化物層厚度和均勻性的精確控制。先進的調制意味著該單元可以精確控制反應溫度和壓力，以及折射率、波導色散、吸收等其他性質。這樣可以在處理過程中實現最佳的增長率和厚度。除先進的沈積力學外，森圖拉的EPI反應堆還配備了最多五條獨立氣體輸入線的氣體輸送機。這允許沈積均勻一致的多層外延氧化層。例如，一個感應耦合等離子體（ICP）源可以用來電離一個輸入氣體，並且該氣體可以精確地劑量到反應室中。電離氣體隨後與其他氣體反應生成所需的外延氧化層。綜上所述，APPLIED MATERIALS Centura Epi Reactor是一種最先進的外延氧化物層沈積工具，提供精確而均勻的外延氧化物層。設計采用先進的調制射頻源、多級自動化和先進的氣體輸送資產，為外延氧化層沈積提供了最佳條件。利用先進的工藝控制，可以在較短的工藝時間內實現高質量的外延氧化層。
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