二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI #9045084 待售

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ID: 9045084
System, 8" (2) Process chambers: Position A : RP Poly Position B : RP Epi Isolation valve PCV wet cleaned Rotation rev 4 with no wobbling kit Upper and lower lamp modules Dual manometer: 100, 1000Torr Wide body loadlock mainframe: SMIF option Missing plastic door cover Robot: HP motor Quartz blade reduced contact installed Gas panel configuration: CCTP for HTF Centura EPI 01 with divert option (3) Blowers: A, B, C AC Rack: Boards HSMS (2) Lamp drivers Quartz parts: EPI/POLY 2 Lower Dome 0200-35042 EPI/POLY 2 Upper Dome 0200-35007 EPI 2 Upper Liner 0200-35017 EPI 2 Lower Liner 0200-35023 EPI 4 Insert Quartz Inject 0200-35019 EPI 2 Baffle 0200-35020 EPI/POLY 4 Insert Quartz Exhaust 0200-35018 EPI/POLY 2 Wafer Lift Shaft 0200-35424 EPI 1 Pre-Heat Ring Toshiba 0200-35081 EPI 1 Susceptor Toshiba Non Center Post 0200-36727 EPI 1 Shaft Non Center Post 0200-00412 EPI 3 SiC Support Tips 0200-00207 EPI 3 Hollow Lift Pins (SiC) 0200-36642 POLY 1 Susceptor Support Shaft 0200-35573 POLY 1 Susceptor Xycarb 0200-35157 POLY 1 Preheat-Ring SGL 0200-35022 POLY 3 Lift Pins (Quartz) 0200-35207 EPI/POLY 2 Anti rotation pin 0200-03486 No process kit No vacuum pumps Crated and warehoused.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI(高溫快速熱流)反應器是一種半導體制造工具,用於處理用於生產集成電路(IC)的基板。它專為要求溫度在500-900°C之間的高效工藝應用而設計。這種工具是一種單晶圓工藝爐,它提供了一系列用戶定義的加工參數,包括獲得專利的熱流控制,以減少工藝時間。AMAT Centura HTF EPI在整個晶片上提供了增強的基板溫度均勻性,同時減少了加工時間,因此成為高生產率IC制造的理想選擇。APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI配備了現代化的微處理器控制設備,用於監控晶圓溫度。它有一個內部定制的氣體控制模塊,為腔室內的氣體混合提供了無限的選擇。Centura HTF EPI還有一個專利的熱流控制,它調制工藝氣體的流量,以減少工藝時間。這座反應堆還配備了二次加熱系統,使冷熱室部分能夠均勻獨立加熱。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI是一種緊湊節能的裝置,使其成為生產復雜IC結構的可靠反應堆。AMAT Centura HTF EPI容量為每批6英寸晶圓,可提供最大吞吐量,同時提高晶圓均勻性和產品產量,即使在高溫下也是如此。它還提供了改進的晶圓汙染控制和低毒性工藝化學品。APPLIED MATERIALS Centura HTF EPI設計具有隔離氣體壓力控制閥和真空凈化功能等安全特性,可降低氧化、汙染和電氣故障的風險。此外,該機的後加工冷卻功能有助於最大限度地減少熱傾斜和熱漂移,提高工藝的重復性和減少晶圓上的顆粒沈積。Centura HTF EPI采用了最先進的技術和現代化的控制系統,旨在確保最安全的半導體處理效率。該反應器的高通量和精確控制使其成為高生產率IC制造的理想選擇。
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