二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II DPS #115097 待售
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單擊可縮放
已售出
ID: 115097
Poly etch system
Wafer Shape: SNNF (Notch)
Centura II M/F:
Robot: HP+
Wafer on Blade Detect
Umbilicals :
Cntrl M/F: 40ft
Cntrl AC: 75ft
AC Rack M/F: 60ft
Pump M/F Intfc: 75ft
RF PS Chamber: 75ft
Facility Connections: M/F Rear
System AC / Controller:
66” Common Controller
System SW: Legacy E4.5
GEMS / SECS Interface
GEMS SW ver.: E4.5
Load Locks:
Narrow Body w/Tilt-out
25-Wafer Cassettes
Chambers:
Position Chamber Type
E Orienter (OA)
F Orienter (OA)
A DPS+ Poly
B DPS+ Poly
C -
D DPS+ Poly
Chamber A/B/D: DPS+ Poly
Pedestal Type: Ceramic ESC
Single zone independent He control
Endpoint Type: Monochromator
Chamber E: Orienter (OA), narrow hoop
Chamber F: Orienter (OA), narrow hoop
Heat Exchanger / Chiller:
H2000 DI EG
Fluid Type: 50/50 (water/glycol)
Power Requirements: V 208, 3-Phase, 4-Wire, Freq 50 / 60Hz
Gas Box Config:
Vertical height: 31”
(10) Gas line positions per Pallet
Valve Type: Veriflo
Filter Type: Millipore
Transducer Type: MKS
Controller Type: Standard (VME/VMEII)
Facility Line Connection: Single Line Drop, AC side, Bottom Fed.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II DPS是一種設計用於先進材料生產的高溫化學氣相沈積（CVD）反應器。使用CVD技術，Centura II允許以極高的精度和精確度將薄膜和層沈積到各種基板上。該工藝高度可控，可針對所需的應用量身定制，使其成為半導體制造、介電膜層、金屬互連層等應用的理想選擇。Centura II能效高,生產速度快。CVD腔室和工藝旨在減少化學副產物，減少運行時間和成本。這也有助於提高設備中使用的零部件的使用壽命。其溫度控制系統可實現精確的溫度控制,保證過程的均勻性和可重復性.Centura II提供了一個動態壓力縮放單元，允許調整原位腔室壓力。這保證了反應副產物的均勻性，以及調整反應性和沈積速率的能力。該機配備了多區控制，允許更寬的基板溫度控制，增加均勻性，減少塗層和薄膜層的缺陷。Centura II也極為通用，能夠容納多種基板，包括矽、石英和石英/矽基板。它還有能力處理各種前體，包括氣態前體和有機金屬前體。這使得它能夠用於半導體制造之外的各種應用。Centura II也易於操作和配置,具有簡單的用戶界面。這使得快速添加或更改操作參數變得容易，從而減少了培訓操作員的時間和成本。此外，該工具還具有高級特性，如準分子金屬種子和前體輸送，以提高層沈積的準確性和均勻性。Centura II是一種高性能和可靠的CVD資產,旨在以極高的精度和精確度沈積薄膜層。其高效的設計和多功能性使其成為半導體制造、介電膜層和金屬互連的理想選擇。其用戶友好的界面和高級功能使其成為任何應用程序的絕佳選擇。
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