二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II DPS+ #9253108 待售
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單擊可縮放
ID: 9253108
晶圓大小: 8"
優質的: 2000
Poly etcher, 8"
Loadlock: Narrow
Position A, B, C: Poly DPS+
Position F: Orienter
Chamber A, B, C:
Upper chamber body: Anodizing
Electrostatic chuck type: Ceramic
Turbo pump: SEIKO SEIKI STP-A2203
DTCU: E-EDTU
Endpoint missing
Bias generator: ENI ACG-6B
Bias match: 0010-36408
Source generator: ADVANCED ENERGY ALTAS 2012
Throttle valve and gate valve: VAT TGV
Gas box:
IHC Module: MKS 649
Transfer chamber manual lid hoist missing
Robot: VHP+
Umbrical cable: 50 ft
2000 vintage.
AMAT/APPLICED MATERIALS Centura II DPS+Reactor是專為大體積半導體製造和先進應用過程而設計的增強型等離子體處理設備。它是一種高通量、單晶片幹蝕刻工具,用於蝕刻薄膜器件,如多晶矽和氮化矽。該反應堆利用一個專有的大氣壓力遠程等離子體源(APRPS),使保形膜能夠沈積,從而提供最小的外部物質沈積。AMAT Centura II DPS+Reactor適合多種蝕刻沈積過程,能達到非常高的精度和重復性。APPLIED MATERIALS Centura II DPS+Reactor是一個獨立的系統,由工藝室、氣體分配單元和APRPS源組成。該工藝室由耐用的不銹鋼制成,旨在在精確的控制和監控下提供高度精確、均勻的晶圓加工。氣體分配單元用於將工藝氣體、等離子體和前體輸送到晶片平面,允許在多個晶片上一次進行均勻的等離子體蝕刻。APRPS源,又稱「大氣壓力自吹掃等離子體技術」或AP-SPT,是Centura II DPS+反應堆背後的驅動力。它由先進的等離子體源組成,可以使用未鈍化或鈍化的晶片進行蝕刻,同時提供精確的蝕刻輪廓,可以進行優化以適應特定的工藝要求。AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II DPS+Reactor提供多種工藝能力,如基於時間的蝕刻、反應性離子蝕刻(RIE)以及各向異性和各向異性的幹蝕刻。它還可針對能夠實現超淺溝槽蝕刻的深層反應性離子蝕刻(DRIE)工藝進行優化。它還具有先進的溫度監測單元,有助於提供最佳的操作性能和工作效率。此外,它還具有先進的診斷技術,如光學反饋和先進的溫度控制,使過程參數的調整和維護更加容易。此外,AMAT Centura II DPS+Reactor提供電饋通,使穩定、高功率的晶圓處理具有低電壓範圍。總體而言,APPLIED MATERIALS Centura II DPS+Reactor是一種用途廣泛、功能強大的半導體加工機,可實現精確、高度重復的蝕刻和沈積過程。對於需要用於高級應用程序過程的可靠、高通量工具的制造商來說,這是一個極好的選擇。其廣泛的功能、先進的診斷和溫度監測系統,以及支持性的技術服務,使其非常適合各種處理需求。
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