二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura II IPS #115471 待售
看起來這件物品已經賣了。檢查下面的類似產品或與我們聯系,我們經驗豐富的團隊將為您找到它。
單擊可縮放


已售出
ID: 115471
優質的: 2001
Dielectric etcher
Install type: Stand Alone
CE Marked
Cassette Interface:
(2) Bolt-on Asyst LPT-2200
Centura II M / F
Robot: HP+ Extended Reach w/Single Blade (Ceramic)
Manual Lid Lift Assist
Load Locks:
Wide-Body w/ Auto-Rotation for cassettes
Enhanced wafer mapping (fast-detect)
Chambers:
Ch-E: Blank
Ch-F: Standard Orienter
Ch-A, B, C& D: IPS
ESC Pedestal with Helium Cooling
RF Generators: Astex Model 80-510-HP
Turbo: Leybold MAG2010C
Throttle Valve: NorCal
H.O.T. Endpoint
Chiller Dome: Bay Voltex LT-HRE
Chiller Cathode: Bay Voltex LT-HRE
Gas Box Config (Pallet modules):
Bottom Feed SLD Gas Panel
Bottom Exhaust w/ Vane switch
GP Controller: VME II
75 feet umbilicals
System controller:
66” IPS controller
Bottom Feed AC, top exhaust
30mA GFI
AC Rack:
Main AC Rack IPS Position AB
Secondary AC rack IPS Position CD
2001 vintage
As-is, where-is.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura II IPS反應器是一種高度可靠、壽命長的離子植入設備,用於半導體制造過程。它專為p型和n型圖層在較高的溫度下設計,使其成為VLSI應用的理想選擇。系統使用單束配置進行精密離子植入。即使在較高的光束能量下,它也具有最小的電弧和最小的濺射侵蝕,以盡量減少汙染物。這允許為MOSFET、DRAM和其他非常大的集成電路植入這樣的薄層。AMAT Centura II IPS反應器使用精密高壓調制器來控制離子束的電壓、電流和定時。該裝置有助於防止可能導致設備泄漏的熱沖擊。較高的溫度允許更有效地利用束能量來實現給定數量的摻雜原子每個工藝步驟。全密封真空室足夠大,允許垂直和水平沈積,並提供優越的界面完整性。該機器采用模塊化設計,可提供靈活性,同時保持較小的占用空間。該工具包括一個高級光束成形光學封裝,樣品支架和進料通路,以及離子源。離子源使用先進的磁性和萃取光學器件來維持穩定的光束輪廓和光束能量,確保在所需的過程密度中最高的可重復性。資產的穩健設計還利用先進的聯鎖和環境控制來安全運行。APPLIED MATERIALS Centura II IPS反應器具有三個標準電源,它們提供可調節的離子束電壓、束電流和束脈沖寬度,使復雜的植入物能夠跨晶圓表面。反應堆可以在高達70 kV的溫度下運行,並且具有從0.1 mAmp到1 Amp的可調束電流範圍。該型號有一個集成的溫度控制設備,可以達到並保持最高530°C的溫度。這允許對植入物種進行動態控制,以達到對侵略性植入物和淺連接深度剖面所期望的效果。Centura II IPS反應堆是一個高度先進的系統,提供卓越的性能水平和成本效益。它是一個可靠且經濟高效的解決方案,非常適合應對半導體制造商面臨的挑戰。對於需要高精度和重復性的離子植入應用來說,它是一個極好的選擇。
還沒有評論