二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura MxP+ #9351620 待售
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ID: 9351620
晶圓大小: 8"
優質的: 1997
Poly etcher, 8"
Wafer shape: SNNF (Notch)
Type: Centura 1 P-2
No SMIF interface
Chamber A, B, C and D: MxP+
Buff robot type: HP
Loadlock: Wide body
Metal buff robot blade
Water detector: Alarm
Wafer sensor: Standard
Smoke detector: Alarm
EMO
AC Rack: Single phase
Monitor and EDP monitor: Standalone
Controller rack: Single phase
Umbilical cables:
Controller to mainframe: 25 ft
Controller to AC rack: 25 ft
RF to chamber coaxial: 50 ft
Pump interface cable: 50 ft
Chamber A:
Chamber type: MxP+
ESC Type: Polymide
IHC Type: MKS 640
Manometer type: 1 Torr
Lid type: Clamp
Slit valve O-ring: Viton
Bias RF match: Standard
OEM 12B RF Generator
No autobias
End point: Monochromator
SEIKO SEIKI 301 Turbo pump
Magnet driver
Simply cathode
Butterfly throttle valve
VAT Gate valve
Standard process kit
Chamber B, C and D:
Chamber type: MxP+
IHC Type: MKS640
Manometer type: 1 Torr
Lid type: Clamp
Slit valve O-ring: Viton
Bias RF match: Standard
OEM 12B RF Generator
No autobias
End point: Monochromator
SEIKO SEIKI 301 Turbo pump
Magnet driver
Simply cathode
Throttle valve: Butterfly
VAT Gate valve
Gases:
Chamber A and B:
Gas / Name / MFC Size / Make / Model
Gas 1 / CL2 / 200 / STEC / SEC-4400MC
Gas 2 / HBR / 200 / STEC / SEC-4400MC
Gas 3 / N2 / 20 / STEC / SEC-4400MC
Gas 4 / CF4 / 200 / STEC / SEC-4400MC
Gas 5 / O2 / 10 / STEC / SEC-4400MC
Gas 6 / O2 / 100 / STEC / SEC-4400MC
Gas delivery:
MFC Maker: STEC
MKS Transducer display
NIPPON SEISEN Mykrolis Filter
Regulator: Veriflo
MKS Transducer
FUJIKIN Valve
Gas connection: Multiline drop
Chiller:
Chiller valve connections: Manifold
Generator rack valve connection: Manifold
Chiller hose size: 3/8 Quick
Valve connection:
Wall: Chamber A, B and C
Cathode: Chamber A, B and C
Power supply: 208 V, 400 A, 60 Hz
1997 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura MxP+是一種高性能反應器,旨在方便晶體管、二極管、電阻等半導體器件在集成電路制造中的制造。該反應堆非常適合需要高溫處理和精確控制氣流、壓力和溫度的半導體制造工藝。該反應堆擁有一個獲得專利的高效直接氣體分配設備(HEDGDS),能夠在整個腔室內實現均勻的氣體分配和壓力控制。該系統不需要手動氣泵,可以精確控制氣流和壓力。HEDGDS不需要任何氣體管線或外部連接,使得反應堆更容易安裝和操作。反應堆內部溫度可設置在25°C至1000°C之間,精度為0.1°C。這允許優化溫度控制,以確保準確的流程結果和高效的工作流管理。此外,MxP+包括一個低壓電脈沖單元,不需要手動真空泵。電脈沖機還能夠保持恒定的腔室壓力,以盡量減少通過過程應用過程中的氣體突破。該反應堆還擁有先進的兩相氣流保護工具,可有效防止氣流汙染。該資產使用動態分流器,該分流器可最大程度地提高氣流的均勻性,同時防止過程和載氣的交叉汙染。該模型還具有一個主動氣體控制設備,該設備不斷監測腔室壓力並自動調整載氣流量,以確保過程的可重復性。反應堆還配備了溫度傳感器和可編程邏輯控制器(PLC),能夠進行精確的溫度控制和自動化的過程監測。該PLC控制系統還能夠執行一系列復雜事件,確保最佳的流程質量和效率。反應堆還提供各種附加功能,例如基於開關的電源和靈活的感應加熱,從而進一步控制半導體的制造過程。再者,該反應堆也是ETL上市和RoHS認證的,確保其符合或超過半導體行業的安全標準。總體而言,AMAT Centura MxP+反應堆是一種先進的半導體制造解決方案,旨在提供可靠和一致的結果,同時簡化制造操作。
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