二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Centura TPCC #293749953 待售

ID: 293749953
晶圓大小: 8"
優質的: 2000
System, 8" Process: ISSG / DPN SMIF Chamber A (DPN): Material: Al-Si Coating RF Generator with power supply: 13.6 MHz, 20-1000 W Manometer MKS: 13.3 / 1333 Pa Manometer Torr: 1 / 10 Wafer cooling: He ESC Wafer holding Ground VDE BOC EDWARDS / SEIKO SEIKI STP-A1603C Turbo pump: 1600 Litres/sec No RGA Port N2 MFC Size: 1slm Chamber B (ISSG): Toxic chamber with exhaust: CHEMRAZ O-Ring No RGA No ISPM No oxygen analyzer Process capability: Gasses: O2, Ar, He, N2, H2 Oxidation capability GPM Controller ISSG / RPN No remote plasma Chamber purge option: 0021-35008 Reflector plate 0200-36118 Edge ring, Si-C 0200-03425 Wafer cylinder No reflector plate Gas pallet: O2 MFC: 5 / 20 slm Ar / He MFC N2: 1 MFC, 20 slm H2: 3 MFC, 1 slm / 10 slm Load lock / cassette: (2) Chambers Wide body Universal cassette platform Fast wafer mapping Light tower: Red, yellow, green Heat exchanger: Steelhead-3 (PM1) 2000 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Centura TPCC(熱處理和化學氣相沈積反應器)是一種高度先進的沈積設備,用於生產薄膜材料。該系統由反應室、材料供應、沈積階段、真空泵和控制單元組成。反應室是一個圓柱形的室,中間有加熱的感受器。感光器用於在整個腔室內保持均勻的溫度,由一塊耐火覆蓋的底板和一系列加熱元件組成。可以加熱至1000 °C,並保持墻壁絕緣,以確保溫度均勻。材料供應機由多個反應堆、熔爐和熔爐組成,用於將材料送入反應堆室。飼料材料可以是粉末、顆粒或其他顆粒形式。這些材料被加熱、汽化,然後註入反應室中,在反應室中,材料與加熱的反應氣體之間發生化學反應。沈積階段是該工具的一個關鍵組成部分,由石英晶窗組成,可以將薄膜沈積在基板上。基板放置在目標位置,沈積氣體通過石英窗註入基板。然後加熱基材,在上面長出薄膜。資產的真空泵在低壓下運行,允許薄膜材料沈積,降低基板上顆粒的風險。真空還可以防止材料氧化,並提供一種介質,使其能夠從一個反應室傳播到另一個反應室。最後,該模型包括一個控制設備來管理溫度、功率和其他影響沈積過程的因素。控制系統還監測反應進展情況,並允許根據需要進行調整,以確保獲得所需的薄膜厚度。最後,AMAT Centura TPCC是一種高度先進的沈積裝置,旨在方便生產各種薄膜材料。它由一個反應室、材料供應、沈積階段、真空泵和一個控制機器組成,這些機器協同工作,為薄膜在基板上的高效和精確沈積提供了條件。
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