二手 AMAT / APPLIED MATERIALS CIP WPVD Chamber for Endura II #293666954 待售

AMAT/APPLIED MATERIALS CIP WPVD Chamber for Endura II是一種反應堆腔室，旨在為半導體市場提供化學-離子-等離子體氣相沈積（CIP WPVD），用於高度均勻和可重復的高級薄膜沈積。CIP WPVD腔室的設計旨在提供精確控制的環境，使薄膜均勻沈積在各種基板上。該腔室采用圓柱形外殼，帶有四個石英隔熱窗，可以觀察腔室內部，並能夠均勻沈積薄膜。CIP WPVD腔室包括溫度、壓力和流量傳感器等各種儀器。CIP WPVD腔室用於在溫度、壓力和射頻功率大範圍內沈積各種薄膜材料。容量高達3500 °C，真空速率為10-8至10-10 torr。該腔室包括一個射頻發生器和線圈布置，用於具有均勻高密度等離子體的電子的體積射頻場發射。這種布置通過平衡等離子體的徑向密度來保證薄膜在室內的均勻沈積，以保持最佳沈積速率。CIP WPVD腔室還具有氣態反應化學（GRC）功能,可為增強薄膜沈積性能提供額外的定制功能。此外，它還包括一個模塊化的可擴展系統，以方便地升級氣源、IF和IP插座數量增加的腔室。CIP WPVD腔室設計堅固,易於操作和維護.它具有基於觸摸屏的控制器、用於過程控制的集成PC以及一組可配置的端口,這些端口允許連接到處理和校準儀器。該腔室具有內置的硬件監控能力，可提供實時處理數據，方便參數設置和腔室性能監控。CIP WPVD腔室設計用於在各種基板上提供精確的保形塗層,具有獨特的工藝流程,可實現卓越的薄膜沈積。該腔室適用於500 mm和300 mm晶片，可用於蝕刻、高k電介質沈積、MEMS和薄膜納米線沈積等工藝。該腔室為高針數應用提供了卓越的性能，適用於新型薄膜和MEMS的開發。