二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Enabler #293600549 待售
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單擊可縮放
ID: 293600549
晶圓大小: 12"
優質的: 2008
Etcher, 12"
Factory interface: FI 5.3
Centura AP Mainframe
RF Rack, 12"
Bias 2 RF generator rack
TOYOTA T100L LL/MF Dry pump
SHIMADZU TMP-3403LMC Turbo pump
DAIHEN RMN-50N6 matcher
Shower head assy, TKI SIC SGD, With Alum Plug, E5
12" Facilities interface box: wFIB, eFIB
Inner/Outer independent temperature control
Independent Gas injection: 2 gases for each step
Closer cooling and heating showerhead design
Power supply:
High bias RF power capacity: 7.5 kW (max combined power)
RF Frequency: 162 MHz Source, 13.56/2 MHz Bias
2008 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Enabler Reactor是一種先進的化學氣相沈積（CVD）設備，設計用於生產半導體材料。這種單晶片反應器使用超低壓CVD腔室和獲得專利的Homura冷卻系統，提供堅固、可靠和可重復的工藝性能。AMAT Enabler反應器在高達850°C的溫度下提供優質薄膜沈積，非常適合生產二氧化矽（SiO2）、氮化矽（SiNx）和碳化矽（SiCX）等化合物。應用材料啟用器反應器的獨特和專利的Homura冷卻裝置大大縮短了工藝周期時間，利用一種創新的氣體脈沖安排從晶片中提取熱量。這使得薄膜沈積比傳統的非Homura冷卻反應堆更薄，增長速度更快。啟用程序還具有用戶友好的設計、直觀的控制機器和圖形用戶界面。AMAT/APPLIED MATERIALS Enabler Reactor利用CVD工藝精密沈積特定半導體材料的薄膜，使半導體材料性能（如壓縮應力或拉伸應力、孔隙度、晶粒尺寸、成分均勻性）得以高精度優化。該工具還確保了不同尺寸、不同水平的晶片的薄膜沈積均勻性，以及具有快速冷卻和優異均勻性的多重沈積操作。均質氣流、預定義的工藝參數和先進的護套加熱方法提供了可靠、可重復的工藝結果和優異的均勻性。此外,AMAT Enabler反應堆具有先進的熱管理資產（TMS）,具有可變的冷卻速率和低溫區域,以防止材料損壞或過飽和。這可能是由於反應堆的TMS的功率，它提供了對冷卻速率的精確控制。APPLICED MATERIALS Enabler Reactor是生產半導體材料的堅固、可靠和可重復的工具，因其卓越的性能和可重復性而在業界備受推崇。這種先進的反應堆為用戶提供了很大的靈活性，用戶可以根據自己的需要定制和剖析沈積。對沈積過程獲得精確控制並獲得總均勻性的能力是Enabler反應堆的最大優勢之一，使反應堆適合各種半導體應用。
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