二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura 5500 #9078245 待售

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ID: 9078245
晶圓大小: 8"
優質的: 1995
System, 8" Wafer Transfer: Loadlock Type: NB, Tilt-Out Buffer Robot Type: HP Transfer Ch Robot Type: HP Ch#A: Cool-down Ch#B: Cool-down Ch#C: PC-II Ch#D: None Ch#E: Ori/Degas Ch#F: Ori/Degas Chamber 1: Chamber Process: AL Wafer Chuck: 101 Chamber Body: NB STD Wafer Heater: Moterize/101 Pedestal Cryo Pump: 2 Phase Gate Valve: 2 Position Chamber 2: Chamber Process: Ti Wafer Chuck: 101 Chamber Body: WB STD Wafer Heater: Moterize/101 Pedestal Cryo Pump: 2 Phase Gate Valve: 2 Position Chamber 3: Chamber Process: AL Wafer Chuck: 101 Chamber Body: NB STD Wafer Heater: Moterize/101 Pedestal Cryo Pump: 2 Phase Gate Valve: 2 Position Chamber 4: Chamber Process: Ti Wafer Chuck: 101 Chamber Body: WB STD Wafer Heater: Moterize/101 Pedestal Cryo Pump: 2 Phase Gate Valve: 2 Position AC Power: 60 Hz 480V/208V TRSF Generater Rack: 1st & 2nd L12 X 2, 20K X1, 10K X2 (2) Cryo compressors: 9600 Pump: System: QDP40 PC-II QDP40+250RB Chiller: Model: Neslab-III Signal Cable: 50ft STD 1995 vintage.
AKT/AMAT/APPLICED MATERIALS/AKT Endura 5500反應堆是一種先進的化學氣相沈積(CVD)設備,設計用於研究和生產有機薄膜材料。這種反應堆系統用途廣泛,具有生產各種材料的薄膜的能力,如電介質、半導體、有機膜、屏障材料和磁性材料。AKT Endura 5500采用模塊化設計,既節省成本又節省空間,其腔室只需要2英尺乘3英尺的地面空間。AMAT ENDURA 5500反應堆室提供了一個強大的氣體輸送控制單元,非常適合復雜的沈積過程。一系列氣體混合閥允許室內溫度和壓力的控制,因此可以用最小的氣體使用量來達到較高的沈積速率。輸送閥的設置可以根據沈積過程的所需溫度自動調整。溫度可以從室溫到最高700 °C變化。此外,壓力可以從幾毫巴調整到大氣壓。AMAT Endura 5500反應堆還提供薄膜材料的精確測量控制。采用實時厚度監測機,可測量高達5微米的薄膜厚度,精度為0.1微米。這種監測工具可以對沈積物料進行快速和快速的測量,並對其進行最佳的質量控制。APPLICED MATERIALS Endura 5500反應堆利用定向反應性蝕刻(DRE)技術進行高通量處理。這項技術利用一束氣溶膠離子從底物中精確蝕刻層,從而產生亞微米厚度的薄膜層。DRE工藝還可以精確控制薄膜沈積過程中的材料微化學,使其成為納米材料研究的理想選擇。此外,AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT ENDURA 5500反應堆提供了簡單的維護。資產的模塊化設計使服務技術人員能夠方便地進行訪問和清潔,並便於拆卸和更換部件。Endura 5500反應堆是為保護模型和操作員而建造的安全特性,如自動壓力控制設備和滑動門。AMAT/APPLIED MATERIALS ENDURA 5500反應堆是一種可靠、高通量的CVD系統,為研究人員和生產線工作人員提供了先進的材料沈積靈活性和精確度。它提供了對溫度、壓力、微化學和納米材料等參數的出色控制,從而實現了最佳控制和質量輸出。
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