二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura CL #9170919 待售
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ID: 9170919
晶圓大小: 12"
優質的: 2002
PVD System, 12"
Mainbody type: CL (Classic)
Chamber A:
For Al-Cu PVD chamber
DCPS: Master, OPTIMA DCG-200, ENI, for PA D
Slave, OPTIMA DCG-200, E.VI
SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump
HT ESC Type stage
Ar: 200/20 Sccm
Chamber B:
Chamber only for PVD
Chamber C:
For TiN PVD chamber
DCPS: OPTIMA DCG-200, ENI
SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump
A101 Type stage
Ar/N2: 150/200 Sccm
Chamber D:
For pre-CLN chamber, PCXT
RFPS: GHW-12A/GMW-25A, ENI, for BIAS / SLA
SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump
Ar: 200/20 Sccm
Chamber E, F:
For DEGAS, Plate heater
SICERA / SHI KZ-8 L3C Cryo pump
Ar, Pressure controlled
Missing parts
2002 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Endura CL Reactor是一種快速熱處理（RTP）設備，設計用於半導體晶圓加工和其他薄膜制造應用。它是一種化學氣相沈積系統，可用於將各種材料的薄膜塗抹在多種底物上。該腔室設計為在基板上提供均勻的溫度分布，並在精確控制熱能傳遞的情況下進行均勻的處理。該裝置具有自動基板處理、可改變工藝時間和氣體使用量的低壓閥門，以及用於精確溫度控制的集成高溫計。AMAT Endura CL Reactor配備了四個標準元件，包括石英管、石英反射器、石英窗和矽加熱器。石英管容納過程氣體，並確保沈積過程中氣體均勻分布到基板。石英反射器的作用是將產生的熱能反射和均勻化到基板和腔壁的其余部分。石英窗起透明密封的作用，允許從室外查看過程。矽加熱器為該工藝提供熱控制，並與反應室進行熱隔離，以實現高效傳熱。該機設計為在千伏範圍內運行，最高溫度為1150 °C。它還包括一個高性能的多區控制工具，允許精確的溫度控制和室內均勻的溫度分布。資產能夠控制壓力和溫度，以及工藝氣體的流量。APPLICED MATERIALES ENDURA CL Reactor設計用於可重復、可靠和可重現的沈積過程。它能夠將各種材料沈積到各種基材上，包括氧化物、金屬和半導體材料，用於各種半導體器件的應用。該模型為操作提供了一個寬廣的過程窗口,並具有廣泛的氣體,使其成為各種半導體和其他薄膜開發過程的理想設備。
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