二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Endura II #9315356 待售
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ID: 9315356
晶圓大小: 12"
PVD System, 12"
Wafer type: Notch
3E
(2) Impulse AIN chambers
Chamber A:
Location / Option
Position 1 / Impulse
Position 4 / Impulse
Position A / Cool down
Position B / Cool down
Position E / Dual mode degas
Position F / Dual mode degas
Line frequency: 50 Hz
No UPS / CVCF
Standard mainframe
Single wafer load locks: HT SWLL without degas module
XP Robot with enhanced high temperature wrists
Operating system: Windows XP
Rack
CTI-CRYOGENICS Cryo Pump
(2) Cryo compressors
Cryo compressor voltage: 400 V - 480 V
MFC Type: GF 125
Impulse: Position (2, 3)
Wafer pedestal E-chuck
Process kit type: TAOX
P/N: 1444245-00
Shutter
RGA Valve manual
Turbo cryo pump with water trap
Heat exchanger hose: 50 ft
Power supply: 10 kW, DC
(2) EDWARDS IH1000 Pump
Rough pump voltage: 208 V
Modular remotes umbilical:
AC Rack to rough pump: 75 ft
Mainframe to rack: 75 ft.
AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura II是一種批量型、生產級、先進的PECVD（等離子體增強化學氣相沈積）反應器，用於多種底物沈積過程。AKT Endura II反應堆具有獨特的設計，提供高性能的先進薄膜沈積，提高了均勻性和精度。該設備具有高度模塊化和可定制的特點，並根據基板尺寸和沈積要求提供多種配置。AMAT Endura II提供了多種性能增強功能,包括高分辨率LCD觸摸屏界面和智能用戶界面,允許用戶從各種參數中進行選擇以定制系統性能。APPLICED MATERIALS Endura II還利用兩臺獨立的射頻發生器，在增加薄膜均勻性、減少多邊形形狀偽影、增強沈積過程選擇性等方面使等離子體優化調諧。此外，EnduraII還提供了有效的原位清洗，提高了基質的完整性，延長了沈積室的壽命。AMAT/APPLIED MATERIALS/AKT Endura II利用了一個具有圓柱形輪廓的多晶矽腔室，它提供了更大的氣體分布，以更好的均勻性，改善等離子體輪廓，並使較大的基板能夠通過較高的放電速率沈積。該裝置包括一個氣體歧管，包括最多四個氣體入口，可實現多氣體沈積過程和三個可選的高能離子加農炮，以促進附著力。反應堆配有自動化控制機器，有助於提高可重復性和過程控制。先進的控制算法，加上用戶界面上可用參數的大量選擇，允許用戶將等離子體反應物調諧至所需狀態，從而在過程中允許更大程度的控制。AKT Endura II是一種多功能工具,為用戶提供了一系列優勢。除了增加氣體散布和提高均勻性外，多種氣體入口和原位清潔方案使其成為尋求經濟高效和可重復的沈積工藝解決方案的制造商的理想解決方案。
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