二手 AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 Mark II #9193242 待售
網址複製成功!
單擊可縮放
ID: 9193242
晶圓大小: 6"
優質的: 1993
CVD Systems, 6"
Chamber A:
TEOS: C2F6 2000 N2, O2.S 1000, NF3 1000 N2, TEOS 1500, Meter 4000, 100 Torr
Chamber B:
Sion / Nitride: SiH4 300, N2 5000, PH3 1000, NH3 100, CF4 5000 N2, N2O 3000 N2, N2 std 200
Purge: 8000 N2, 10 Torr, DPA
Chamber C:
Sion / Nitride: SiH4 300, N2 5000, PH3 1000 N2, NH3 100, CF4 5000 N2, N2O 3000 N2, N2 std 200
Purge: 8000 N2, 10 Torr, DPA
Includes:
Pumps
Chiller
RF Generator
Hot box
Remote gas panel
Mini controller
Currently installed
1993 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000 Mark II是一種用於生產集成電路(IC)裝置的高密度等離子體反應器。反應堆由幾個隔室組成,包括等離子體源、工藝室、氣體分配設備和真空系統。等離子體源利用微波能量,通常是2.45 GHz,在過程室中產生高能等離子體。此等離子體用作IC元件的生產介質。封閉在真空中的工藝室通常在10至12 mTorr的壓力下運行。加工室內部是放置IC樣品的基板支架。就在基板支架上方的是氣體輸送裝置,它是AMAT P5000 Mark III的核心。它包含一系列黃銅噴嘴,這些噴嘴連接到氣體入口管線,用於控制IC生產過程所需的各種氣體的輸送。氣體分配機的設計使氣體在基板平面上流動均勻。真空工具用於維持所需的工藝室壓力。真空資產包括渦輪分子泵,以及前線和擴散泵。渦輪分子泵確保過程保持一致的壓力,而其他泵則提供離子轟擊過程產生的氣體的疏散。APPLIED MATERIALS P 5000 MARK II有一系列的控制參數,以允許精確的過程控制。用戶可以調整的參數包括總加工壓力、工藝氣流和組成、基板溫度、離子轟擊的功率水平以及其他參數。這些參數加在一起,可以精確控制工藝環境,以重現具體的結果,並針對工藝變化進行調整。總體而言,AMAT/APPLIED MATERIALS P 5000 MARK II是一種高度先進、用途廣泛的反應堆,用於生產IC裝置。它利用多個隔間和系統結合不同的控制參數進行精確的過程控制。這樣就可以統一生產高質量的IC設備。
還沒有評論