二手 AMAT / APPLIED MATERIALS P5000 #9276478 待售
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ID: 9276478
CVD System
Process: Depo rate
Oxide: 6000 A/min
Uniformity: 5%
(12) Gases:
Gas no / Sccm / Gas
1 / 200 sccm / Sih4
2 / 100 sccm / NH3
3 / 3000 sccm / N2
4 / 2000 sccm / N20
5 / 2000 sccm / CF4 or SF6
7 / 200 sccm / Sih4
8 / 100 sccm / NH3
9 / 3000 sccm / N2
10 / 2000 sccm / N2O
11 / 2000 sccm / CF4 or SF6
AC Powers
Mainframe configration
Mark Ⅱ, 6"
I/O Wafer sensor
(21) VME Slots
Phase 3 Robot
Phase 3 Cassette handler
(8) Slots storage elevator
Viton O-ring
Clean gas box
Pressure control system
Throttle valve
Isolation valve open / close type
Temp control: Lamp heated
Vacuum system
Chamber: EDWARDS QDP80+QMB500 Pump.
Load lock chamber: ADP80
Nitrogen
Compressed air: CDA / N2
Exhaust
Fuse: AC/DC Power box.
RF Power supply: 1.2 kw and 13.56 Mhz
Power supply: 208 V, 200 A, AC Input, 3 Phase, 5 Wires.
AMAT/APPLIED MATERIALS P5000是一種物理氣相沈積（PVD）反應器。它用於在基板上沈積陶瓷、金屬、介電或其他材料的薄膜。這是用電離氣體或等離子體完成的，它將能量通過反應堆腔室傳遞到基質上。AMAT P-5000反應器被設計為各種薄膜沈積應用的通用可靠解決方案。它由三組分的APPLIED MATERIALS P 5000容器、反應器、真空泵和控制器組成。該容器由不銹鋼制成，設計用於快速維護。反應器有一個樣品表，用於在沈積過程中控制底物。P 5000反應堆依靠直流或脈沖直流磁控管濺射技術沈積薄膜材料。在直流濺射中，直流電壓產生等離子體並使濺射目標電離，濺射目標是放置在腔內的基板。等離子體將濺射材料帶到基質上。脈沖直流濺射在濺射目標上使用高頻功率，加速濺射材料，提高薄膜的沈積速率。應用材料P5000反應堆室包含兩個主要組件：工藝區和抽水區.工藝區域包括濺射目標、樣品表和電阻蒸發器。目標通常由鎢或鈦制成，並由提供給目標的直流電壓加熱。樣品表通常是一種低環境背景材料，如石英，用於在沈積過程中支撐基板。電阻蒸發器作為濺射過程的物料來源。抽水區由冷凍泵和旋轉泵和渦輪分子泵組成，用於在過程前和過程中抽出過程氣體，用於在腔內產生真空。這些泵能幫助提供幹凈穩定的工藝環境，減少回流，提高反應堆中的顆粒性能。P5000系統可以提供一種有效的多層薄膜沈積方式，可用於顯示、半導體和光學等多種不同的應用。快速、可靠和通用的AMAT P5000反應堆可幫助制造商提高生產率和提高產品質量。
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