二手 AMAT / APPLIED MATERIALS Producer GT #9281276 待售

ID: 9281276
晶圓大小: 12"
優質的: 2008
System, 12" (3) Ht ALC Chambers 2008 vintage.
AMAT/APPLIED MATERIALS Producer GT Reactor是半導體製造中使用的一種工具,對表面進行改造,如薄膜生長、蝕刻和沈積。此設備可精確處理曲面,以創建所需的材料屬性。該系統基於「感應耦合等離子體」(ICP)源的平臺,在整個樣品上提供均勻的等離子體。GT反應堆還設有一個ICP源,由感應線圈傳遞到源的射頻能量提供動力。與傳統等離子體源相比,ICP源具有更高的電流密度,使過程參數具有更大的靈活性。AMAT生產國GT反應堆同時提供多種能源的精確放置,以便在盡量減少材料「雞尾酒」或混合的同時,高效率地實現所需的修改。源的精確放置還允許控制過程,允許針對單個設備體系結構定制解決方案。此外,GT反應堆的特點是低壓/高導率構型可限制氣相反應,並具有氧化氣體能力以確保氧化物以低汙染率適當生長。GT反應堆有一個氣流控制單元,使操作員能夠調節工藝溫度和氣流動力學,從而產生可靠的操作和生產具有所需幾何形狀和特性的產品。氣流機還允許操作員改變氣體壓力、氧化等條件來設計薄膜層。這有助於處理室工具具有高度的過程控制特性。APPLIED MATERIALS Producer GT Reactor也使用ICP源產生高密度等離子體,用於蝕刻過程。這有助於通過允許較高的蝕刻速率來降低熱預算,同時將蝕刻副產物在表面上的形成保持在最低限度。此外,GT反應堆有一個「前端負載鎖」工具,可以在不破壞真空的情況下輕松進行模具晶片交換。晶片可以快速輕松地進出刀具,而不會犧牲完整性,從而實現過程的多功能性,並根據不斷變化的生產需求進行無縫調整。生產商GT反應堆是一種用於半導體制造的最先進的工具,用於精確設計具有所需材料特性的曲面。它基於一個ICP源,允許更高的電流密度和精確放置適合從薄膜生長到蝕刻的多種能源。GT反應堆包括氣流控制資產、前端負載鎖和低壓/高導電配置,以確保可靠運行並最大限度地減少汙染。利用ICP源,它能夠提供高蝕刻速率,非常適合先進的設備制造要求。
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