二手 GSI UltraDep 1 #9304746 待售
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ID: 9304746
晶圓大小: 4"-6"
Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) System, 4"-6"
Deposition temperature: 200° - 400°C
Deposition rates range: 100 - 400 nm/min
Amorphous silicon (dropped and un-dropped)
Load lock
Single wafer load
Dual frequency
Microprocessor
Computer controlled
Stress controlled silicon nitrides
Oxynitride: 1.46 - 2.0 Refractive index range
TEOS Oxide
Doped oxide
PSG
BSG
BPSG
Configured with:
Helium
Nitrous oxide
Ammonia
Silane oxides
TEOS (Direct liquid inject)
PH3, B2H6 / He dopant mix
Oxygen
CF4 Gases
Oxide based:
Normal
Low stress
Nitride:
Stoichiometric
Low stress
Spare parts:
MFC
Hot plates
(2) Heaters
Pump missing
RF Supply for stress control: 13.56 MHz and 200 kHz.
GSI UltraDep 1是一個創新的核反應堆設計，結合了室外和室內反應堆的好處。這個新的反應堆設計利用了一個大型、風冷、幹拱形和自立式安全殼容器。反應堆外殼包括一個容納反應堆堆芯的鋼制容器，以及一個獨特的熱和結構絕緣通風管，以盡量減少熱量從反應堆傳遞到周圍。這類反應堆被稱為「壓力容器」反應堆，因為它利用的是沒有活動水循環的閉環系統。因此，這種設計降低了因泄漏而造成水汙染的風險，同時也將反應堆意外釋放的可能性降至最低。此外，它在防止輻射照射方面具有成本效益、效率和效力。與傳統反應堆不同，UltraDep 1利用了一種獨特的鈾濃縮形式，這意味著所有使用的燃料都在一個地點。這降低了由於頻繁的燃料移動而造成汙染的風險，並允許非常緊湊的設計。這種設計還提高了安全性，因為燃料不會移動，而且保持在單一位置，這意味著不存在燃料處理不當的風險。此外，這種新的反應堆設計大大減少了所需的維護，因為它不依賴於有源水循環系統。相反，反應堆可以在「幹運行」模式下運行，這意味著沒有水基冷卻環路。這樣可以提高安全性,大大降低設計的復雜性。GSI UltraDep 1能夠以較高的轉換率產生能量,從而提高效率和降低運營成本。反應堆堆芯還保持較高的溫度，允許增加功率輸出，同時仍保持在安全標準之內。總體而言，UltraDep 1是革命性的反應堆設計，結合了室外和室內反應堆的優勢，降低了汙染、燃料處理不當和輻射暴露的風險。這種反應堆設計與其他傳統的反應堆設計相比，具有產生高輸出、更高效運行、需要更少維護的能力。
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