二手 NOVELLUS CONCEPT 2 Altus #9171171 待售

ID: 9171171
晶圓大小: 8"
優質的: 2001
Chemical vapor deposition (CVD) system, 8" Process: CVD - Tungsten dep Module configuration: Standard Wafer type: Notch Module type: CVDW SMIF Type (2) Chambers Software: QNX2 / 4 Module controller: MC2 Pedestal assembly type: Ped assy, 200mm MORE, D, no flat, SEMI 0 Exclusion ring type: MOER 0 Exclusion ring lift type: 02-054427-01 0 DLCM Configuration: DLCM Type: Shrink Cassette interface: Platform Robot type: Mag7 (P/N: 003-1600-25) Arm set: Dual arm (P/N: 002-0016-14) Cool station: 3-Level Pressure gauge: Capacitance manometer, MKS (P/N: 750B12TCE2GK), 100Torr MYCROLIS Throttle valve MKS 651D-16202 Throttle valve controller ANIMATICS CDP2407-2 Indexer controller Slit gate valve (Chamber A, B): 02-121427-00, SMC, XGT-0402AWM-X16 Rev8 Slit gate valve (Loadlock A, B): 02-133793-00, SMC, XGT-0101AWM-X16 Rev1 Chamber configuration: Chamber A CVD - Tungsten Chamber B CVD - Tungsten Pedestals: 200 mm MOER: Pedestal 1 Pedestal 2-5 Clean: Insitu Millipore MDVX-100B Throttle valve 27-053468-00 Throttle valve controller VAT 14040-PE34-0003 Gate valve Pressure gauge: 100 Torr (Milipore, CDLD2106E), Backside 100 Torr (Milipore, CDLD2106E) 10 Torr (Milipore, CDLD1106E) RF Match: Trazer, AMU2-1 RF Configuration: HF RF Generator type: AE RFG 3000 MFC Size & Gas type: Chamber A: MFC1 / SLM / Ar MFC2 / 50SCCM /SiH4 MFC3 / 20SLM / H2 MFC4 / 20SLM / Ar MFC5 / 500SCCM/ WF6 MFC6 / 2SLM / C2F6 MFC7 / 2SLM / O2 MFC8 / 10SLM / Ar MFC9 / 20SLM / H2 MFCC / 2SLM / Ar MFCD / 20SLM / Ar MFCE / 500SCCM / WF6 UPC1 / SLM / Ar Chamber B: MFC1 / SLM / Ar MFC2 / 50SCCM /SiH4 MFC3 / 20SLM / H2 MFC4 / 20SLM / Ar MFC5 / 500SCCM/ WF6 MFC6 / 2SLM / C2F6 MFC7 / 2SLM / O2 MFC8 / 10SLM / Ar MFC9 / 20SLM / H2 MFCC / 2SLM / Ar MFCD / 20SLM / Ar MFCE / 500SCCM / WF6 UPC1 / SLM / Ar 2001 vintage.
NOVELLUS CONCEPT 2 Altus Reactor是一種最先進的工具,使用戶能夠在先進的蝕刻環境中進行先進的半導體材料處理。Altus反應堆是一個多合一系統,旨在為所有類型的相關應用提供高質量、高通量的蝕刻能力。CONCEPT 2 Altus Reactor特別設計用於提高蝕刻性能以及其他處理步驟,如熱氧化和復聯。它采用了一種革命性的先進蝕刻技術,將電感耦合等離子體(ICP)與高精度反應性離子蝕刻(RIE)和定向離子束蝕刻(DIBE)相結合。這種先進的蝕刻技術提供了極致的階躍覆蓋、蝕刻參數的先進控制、高通量、大晶片區域上均勻的蝕刻速率以及晶片表面的低損傷。NOVELLUS CONCEPT 2 Altus Reactor的主要特點是其先進的蝕刻處理器,使用戶能夠充分利用系統提供的先進蝕刻技術。這種處理器不僅可以提供高精度的蝕刻條件,而且還可以通過靈活的參數和實時反饋來深入了解蝕刻過程優化。這使用戶能夠快速準確地優化其蝕刻配方,從而確保其應用程序的最佳最終結果。CONCEPT 2 Altus Reactor因其先進的自動校準特性而易於使用和維護。此功能允許用戶快速準確地校準蝕刻室,確保所有蝕刻過程均以最高精度和準確度進行。結合其先進的自動清洗功能和先進的診斷,NOVELLUS CONCEPT 2 Altus Reactor提供了一個高度可靠和高效的蝕刻系統。CONCEPT 2 Altus Reactor憑借其先進的蝕刻技術、獨特的處理器和易於使用的特性在競爭中脫穎而出,使其成為任何半導體蝕刻應用的理想選擇。其先進的蝕刻技術確保了任何相關蝕刻應用的最佳效果,使其成為先進半導體材料加工的有效、可靠和高質量的解決方案。
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