二手 NOVELLUS Concept 3 Altus #9248122 待售
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ID: 9248122
晶圓大小: 12"
CVD System, 12"
Dual chamber
BROOKS AUTOMATION Robot
Load port: 3-FOUP
Pre aligner and centering: Single axis
Mainframe: Platform type: Wafer transfer module, 12"
Load lock:
(2) Load locks
(3) Load lock cooling pedestals
Chambers: Altus C3 Mod A / Mod B
MKS Astron RPS Power supply
Pedestal:
Al Heater pedestals with lift pins (Station 1)
Al Heater pedestals (Stations 2-4)
Gas panel:
MFC / Gas / Size (SCCM)
MFC-P / Ar-F / 20000
MFC-N / B2H6-D / 500
MFC-M / Ar PNL / 20000
MFC-K / WF6-N / 500
MFC-J / WF6-M / 500
MFC-I / NF3 / 5000
MFC-G / SiH4-K / 500
MFC-F / Ar-K / 5000
MFC-E / WF6-J / 500
MFC-D / Ar-H / 50000
MFC-C / Ar CVD / 20000
MFC 9 / H2-C / 30000
MFC 8 / Ar-C / 20000
MFC 5 / WF6-W / 500
MFC 4 / Ar-B / 20000
MFC 3 / H2-A / 30000
MFC 2 / SiH4-D / 500
MFC 1 / Ar-D / 5000
APC 1 / Argon / 3000
Component:
NOVELLUS 01-172346-12 SSD Power rack
651WF Scrubber
Module A:
BOC EDWARDS iH1000 Pump
KASHIYAMA SDE90 Pump
Module B:
BOC EDWARDS iH1000 Pump
(3) KASHIYAMA SDE90 Pump.
NOVELLUS Concept 3 Altus是一種高度先進的下一代蝕刻反應堆，專為先進半導體制造的多種應用而設計。該反應器利用硬件和軟件在蝕刻過程中最大限度地提高精度和吞吐量。在其核心，概念3 Altus采用單一的大三區雙等離子體火炬設計。此配置提供了多種優點,包括提高了前體吞吐量、提高了沈積速率以及提高了整個基板的均勻性。該火炬經過優化以提高電氣效率，能夠在蝕刻應用中實現高通量。此外,這三個區域允許在整個基板上應用更大範圍的功率。反應堆設計為采用三步等離子體蝕刻工藝。首先，反應器用聚合物層預塗底物，使蝕刻過程對底物造成的損害降至最低。其次，反應堆在底物上施加高功率等離子體步驟，進入下層。最後，反應器通過允許快速各向同性蝕刻完成蝕刻過程。為了獲得最佳蝕刻性能,NOVELLUS Concept 3 Altus允許使用稱為「QChamber」的專用計算機軟件。該軟件通過對等離子體條件的詳細分析來確保每個蝕刻過程的優化，還包括特殊的橫截面成像技術來分析蝕刻輪廓。QChamber還允許監控多個過程級別,包括編碼和沈積速率、交叉檢測和電弧中斷。除了QChamber之外，Concept 3 Altus可以與其他過程控制系統集成。這樣可以在蝕刻過程中實現更多的自定義和更高的精度。它還允許使用高級功能,例如就地處理（PiP）清潔,從而提高了每次蝕刻運行的效率。NOVELLUS Concept 3 Altus是現代半導體制造商的強大工具。它為蝕刻和生產鏈所必需的其他工藝提供了先進的精度和控制水平。憑借強大的硬件、先進的軟件和業界領先的功能,Concept 3 Altus功能強大,為任何芯片制造商提供了競爭優勢。
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