二手 SIEMENS CVD #9077944 待售
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ID: 9077944
Reactors with silver-plated bell jars
Process: polysilicon deposition
Inlet Gas system: STC-H2
Steel pedestal: (44) homogeneously distributed brackets
(24) Silver-copper electrodes
Ring pipe
Operation Parameters:
Length of silicon rods: up to 3.200 mm
Operating pressure of reactor: 6 barg
Design pressure of reactor : 8 barg
Height of bell jar: 3.7 mm
External diameter of bell jar: 1.8 mm
Internal diameter of bell jar: 1.55 mm
Thickness of internal steel jacket: 25 mm
Thickness of silver-plate: 1.5 - 3 mm
Total weight (empty): 8.5 kg
Total weight (filled with water): 9.1 kg
Design temperature internal wall: 300°C
Connection of high temperature cooling water
Diameter: DN 100
Design temperature: 200°C
Typical operation temperatures (in & out): Up to 165°C
Maximal operating pressure: 12.5 barg
Normal operation pressure: 10- 10.5 barg
Typical electrode cooling water temperature: Up to 85°C
Inspection glass
Connection cooling water: DN 25
Connection H2 for cleaning/cooling: DN 25
Diameter of inspection glass: 70 mm
Reactor base plate:
2000 mm Diameter
(24) Cylindrical holes
(9) Nozzles
Includes:
Thyristors
Transformators.
SIEMENS CVD反應堆，或稱微化學CVD平臺，是SIEMENS開發的一種最先進的反應堆技術，允許合成高度受控和一致的化學氣相沈積膜（SIEMENS CVD）。在其堆芯，CVD反應器由加熱平臺、真空室和反應室組成。加熱平臺設計為在反應室中提供均勻的溫度，確保反應結果一致。真空室是容納反應室的密封單元。它負責提供過程的壓力、溫度和氣流。反應室由加工元件、氣體入口和氣體排氣口組成。加工元件是反應物氣體混合物暴露於熱量的地方，激活了成功沈積所需的過程。氣體入口將反應物氣體混合物引入反應室內，排氣口清除未使用的氣體。為了降低復雜性,SIEMENS已使SIEMENS CVD流程高度自動化,從而無需人工幹預和人為錯誤。CVD工藝的特點包括用戶友好的圖形界面、自動氣流控制、過程參數的二維位移以及沈積過程的總體監控。SIEMENS CVD技術經過了廣泛的測試，以確保生產出一致可靠的CVD薄膜。這是一種高效的方法，可以在高純度、高度均勻的沈積過程中生產可控數量的材料。綜上所述，SIEMENS CVD反應堆是合成CVD薄膜的現代化、自動化和可靠的工藝。它是一種先進的制造技術，能夠比更傳統的方法更快、更經濟高效地生產高質量、一致的礦床。SIEMENS CVD工藝具有生產細長且高度控制的礦床的能力,是當今業界最先進的工藝之一,為制造商提供了一種高效且可重復的薄膜材料生產方法,這對許多現代電子產品至關重要。
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