二手 FUJI ELECTRIC LTT2N / LTN3 #293772602 待售

FUJI ELECTRIC LTT2N / LTN3
ID: 293772602
晶圓大小: 5"
CVD System, 5".
FUJI ELECTRIC LTT2N/ LTN3是為各種工業應用中的高性能薄膜沈積而設計的先進濺射設備。該系統采用磁控管濺射和離子束濺射技術相結合,實現了薄膜厚度均勻,附著力優良,薄膜成分控制精確。LTT2N/ LTN3采用模塊化設計和可定制的配置,具有多功能性和靈活性,可滿足不同薄膜沈積工藝的特定要求。FUJI ELECTRIC LTT2N/ LTN3濺射單元的關鍵部件包括濺射目標、磁控管陰極、基板支架、過程控制單元。該機裝有金屬、氧化物、氮化物等多種材料制成的多個濺射靶子,允許各種薄膜材料的沈積。磁控管陰極產生一個磁場,增強濺射過程,導致更高的沈積速率和改善膜質量。LTT2N/ LTN3工具的一個顯著特點是離子束濺射能力,它能夠精確控制膜的組成和表面形態。離子束源可與磁控管濺射配合使用,實現具有定制性能的高均勻致密薄膜。這種雙濺射方法提高了薄膜質量,使復雜的多層薄膜結構能夠沈積。FUJI ELECTRIC LTT2N/ LTN3資產中的基板持有者設計用於容納各種基板尺寸和類型,包括晶圓、玻璃滑梯和柔性基板。在沈積過程中,可以加熱或冷卻底物,以控制底物溫度,確保膜的最佳附著力和生長。此外,基板旋轉機制允許在整個基板表面均勻沈積薄膜,最大限度地減少薄膜厚度變化和提高整體膜質量。LTT2N/ LTN3濺射模型的過程控制單元配備了先進的軟件和儀器,用於實時監測和控制沈積過程參數。用戶可以對沈積速率、氣流、電源設置、基板溫度等參數進行編程和調整,以優化薄膜生長和性能。該設備還具有集成的安全機制和診斷工具,以確保可靠和可重復的薄膜沈積。總體而言,富士電氣LTT2N/ LTN3濺射系統為研究和工業環境中的高性能薄膜沈積提供了全面的解決方案。憑借其先進的濺射技術、可定制的配置和精確的過程控制功能,LTT2N/ LTN3單元可實現具有卓越質量、均勻性和功能性的薄膜沈積。無論是用於光學塗層、半導體器件,還是表面工程應用,這臺濺射機都提供了滿足現代薄膜技術苛刻要求所需的多功能性和可靠性。
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