二手 KDF 654i #293748451 待售
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ID: 293748451
Sputtering system
(4) Targets: TiO2, SiO2, AZO and Ag
Targets spares: Silver target and copper backing plate
Dual load lock
In-line
RF / DC Side sputtering
DC Pulse
CE Option
S2-0706 Semiconductor
Scan velocity profiling
(4) Targets, 17"
PC Remote console.
KDF 654i濺射設備是一種最先進的濺射沈積工具,提供卓越的層均勻性和沈積速率控制。濺射系統由兩個濺射陰極、兩個直徑6英寸的平面目標和兩個5英寸x 8英寸的基板組成。濺射陰極由三個獨立的直流(DC)電源供電-兩個直流電流電源和一個直流電壓電源-提供135 kW的總功率。濺射陰極產生的濺射離子束使用兩個長壽命磁場探測器向下指向基板臺。654i濺射沈積工具還包含一個高級控制器,能夠精確控制濺射參數,如離子束能量、濺射速率和層均勻性。采用嵌入式熱電偶的原位基板溫度控制單元(TCS)保證了單層膜和多層膜的高均勻性。KDF 654i濺射機的基板表裝有一個精密的聯鎖工具(ILS),允許基板在X-Y和角方向上移動和定位。基板臺還能夠傾斜調整到+/− 20度均勻膜粘附。654i濺射資產允許沈積各種材料,從金屬和合金到復合半導體和電介質。原位清洗模型采用了一種新型的遠程等離子體清洗工藝,對去除氧化物、有機物和其他表面汙染物非常有效。該平臺配有紅外高溫計、X射線熒光分析(XRF)、傅立葉變換紅外光譜(FTIR)等過程監測系統,用於層性質的實時監測。KDF 654i濺射設備還包含一個高真空渦輪分子泵站和一個質量流量控制器,允許用戶精確控制內部環境。為了確保高質量的沈積,654i濺射系統包括自動化的過程控制工具,如原位過程監測(IPM)和NEXUS™濺射監測能力。這允許用戶監控各種過程變量,包括沈積速率、薄膜組成、層均勻性和濺射侵蝕。總體而言,KDF 654i濺射裝置是一種高科技濺射工具,功能廣泛,便於高質量和高度均勻的薄膜沈積。654i憑借其精密的控制器、互鎖機、原位清洗和過程監控系統,提供了出色的層性能和過程重復性。
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