二手 MAGNETRON Sputtering #194493 待售
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單擊可縮放
已售出
ID: 194493
晶圓大小: 4"-6"
優質的: 2010
Sputtering system, 4"-6"
In‐line 3‐target system
Process variables can be monitored via ZR-RX40
(2) PSICM DC Sputter power supplies
MKS 600 Series pressure controller
NOVA series ST580 Digital temperature
KODIVAC 340 Rotary pump
Main system:
(2) Chambers:
Sample chamber
Main chamber
Chamber size:
Main chamber: 3.5" x ~7"
Sample chamber: 2.5" x 3.5"
Control rack: 2" x 3"
Roughing pump: 2" x 2"
Sputter chamber: ~7" Wide and 1.5" height
Carrier slider: 1" Length Al plate
Gate valve chamber: 1.5" Length
Sputter gun section: (3) Guns
Lamp heater
Sputter target size: 300 mm x 100 mm
Installed target: ZnO, ZnO:Al, Empty
Isolation gate valve: 1 for sample, 1 for vacuum
Transport: Automatic motor driven
Vacuum system:
KODIVAC 1600K Rotary pump
GENESIS ICP 250L Cryo pump
Automatic vacuum / Process control with LED display
Vacuum sensor / Control: ATOVAC GVC22005
Sputter system:
Sputter power supply:
ADVANCED ENERGY RF-10S: 1 KW 13.56 MHz
(4) Gas flow controls:
SEAHWA KRO-4000
KOFLOC 3665
SEC 7440
Substrate motion control:
LED Panel display with speed controller
Manuals included
2010 vintage.
磁控濺射（MAGNETRON Sputtering）是一種物理氣相沈積（PVD）的過程，目標材料被稀有氣體的離子轟擊，從而擊落並汽化目標材料。然後，這種蒸氣會凝結到接收基板的表面，即工件上。這一過程利用磁場來控制離子束，產生了比非濺射系統質量和均勻性更高的化合物和薄膜。在MAGNETRON Sputtering中，一個目標（由要共同濺射的材料制成）被放置在系統腔室的頂部。目標安裝在陰極板上,陰極板上有連接的電源。腔室還包含一個陽極（通常是圓形的，但其他形狀也有）。安裝在腔室內的永磁體環繞目標，在徑向方向上產生高磁場梯度。一種稀有氣體的離子，例如氙氣，是由一個離子源產生的，並傳播到目標。當使用稀有氣體時，離子的能量會低到不會對底物造成任何損害。這些離子隨後被陽極向目標加速。當離子束到達目標時，由於強烈的梯度磁場，離子正穿過徑向偏轉。這會使離子散開，並在其表面更均勻地分布，從而形成更均勻的塗層厚度。然後，目標材料被加速離子濺射出目標，沈積在基板上，基板通常放置在腔室底部。通過抵消基板和目標，可以達到一個入射角，從而產生更理想的沈積剖面。濺射的優點是：-高存款率和提高吞吐量 -優質產品,表面品質優良,附著力好 -均勻塗層厚度.磁控管濺射用各種材料的可用性，包括金屬、半導體、陶瓷甚至玻璃 -通過引入氮氣、氧氣和氫氣等反應性氣體，靈活控制濺射過程中的反應性成分磁控濺射的缺點是： -由於不斷清除燃氣室，氣體消耗量很高 -低離子利用率-電弧的潛在問題,因為電壓需要高才能加速離子 -目標侵蝕的風險，這可能導致沈積膜脫水 -基板加熱,將額外的資源用於控制工藝溫度。
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