二手 MRC 603 III #9012739 待售
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ID: 9012739
Sputtering system
RF: 1.5 kW
DC: 10 kW
PSI Air: 80-100
PSI Water: 60-90
(4) GPM
(3) Target chromes
Aluminum
SiO² 15" x 5"
Cryo pump compressor
Booster pump
Maximum processing size: 315 x 315 mm
Vacuum system
Cryo pumped
CTI Cryo Torr 8
LEYBOLD D60A Roughing pump
Load lock
Target size: 4 3/4" x 14 7/8"
(3) DC Cathodes
Substrate heaters
DC Power supply
Keyboard
CRT Monitor
Targets shape: Square
Compressor and RF generator
RFPP RF20S Power supply
Rated power output: 1500 Watts
Matching network
Controller:
Analog closed-loop control
Monitored by micro computer
Substrate pallet size: 13" x 13"
Pallet carrier:
Chain drive
Speed adjustable: From 39.3"/min to 120"/min
Quartz substrate heater adjustable to 600°C
Inset DC cathodes
Facility requirements:
Water: 4.0 gpm, 70 psig, 60°F
Air: 70-100 psig, filtered, 1 cfm
Sputtering gas: 3-5 psig
Power: 208 V, 100.0 A, 60 Hz, 3-Phase.
MRC 603 III是一種用於將薄膜沈積在基板上的濺射設備。該系統由一個高真空室、一個外部控制器和兩個濺射源的嵌入式目標源組成。兩個濺射源是同軸磁控管、平面磁控管和圓頂磁控管。基板安裝在腔室中央，兩個濺射源圍繞目標表面定位。平面磁控管具有用於材料濺射的平面表面，而圓頂磁控管具有圓形目標表面，可用於定向濺射。MRC 603-III裝置采用真空工藝在基板上沈積薄膜.將一種濺射氣體，例如氙氣引入腔室，在那裏壓力保持在低於10-4 torr的低真空。氙原子加速並與目標材料碰撞，導致目標材料的粒子濺射到基板表面。該工藝稱為濺射沈積，能夠在各種基板上產生光滑、均勻的非常薄的薄膜塗層。603 III還包括車載電源和操作控制。嵌入式控制器具有電源、可調頻率電源以及數組控制和監控功能。該機設計為在基壓下運行，為目標和基板提供溫度控制。它還支持可變工藝參數，允許優化濺射產量和處理時間。該工具設計為操作簡單,並提供高級流程控制功能,例如基於配方的流程自動化、實時數據記錄和報告功能。嵌入式軟件允許與工廠自動化系統完全集成,從而簡化操作並消除代價高昂的停機時間。603-III是一種用途廣泛且可靠的濺射資產，能夠在各種基材上生產質量均勻的薄膜。先進的工藝控制特點，結合濺射模型可靠、可重復的性能，使MRC 603 III成為多薄膜沈積應用的理想選擇。
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