二手 MRC 822 #9039130 待售
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ID: 9039130
Sputterspheres
With load lock
Includes:
(3) Diode targets, 8"
Spherical chamber, 19"
Sputters up to (3) materials without breaking the vacuum
CTI 8 Cryo pump with SC compressor
LEYBOLD D-60 Mechanical pump
ENI OEM-6 RF Generator, 1.25 kW
Sputter etch
GP-280 IG controller
VARIAN TC controller
Load locked system
Pallet, 8"
Complete set of manuals
Eye-level control console:
Forward and reflected power meters
Two peak-to-peak meters
Remote power control
Multi-range sputter timer
Sputter button
Pirani gauge
Modes of operation:
Diode deposition: RF Diode, RF Bias
Magnetron deposition: DC and RF
Reactive sputtering
Sputter etching
RF System:
Voltage stabilization
RF Matching network
Auto tuning
Vacuum
Dual loadlock: two pallet mode, three pallet mode
Semi-automatic operation speeds
DC Magnetron power supply: Model: S3016
80-100 psi air, 60-90 psi water, 3 GPM
208 V, 50 Amp, 50/60 Hz, 3 Phase.
MRC 822是一種使用高電流離子源處理材料的高能離子束濺射設備。這種先進的濺射技術用於將薄膜沈積到各種基材上。822系統是一種計算機控制的機器，具有用戶友好的控制界面，允許過程控制和監視濺射參數。MRC 822單元利用真空室和離子束源來處理基板。真空室由不銹鋼組成，旨在保持低真空水平，通常在10-5至10-6 Torr的範圍內。在腔室內部，還使用內部真空機將目標保持在穩定的壓力下。一個法拉第籠子圍繞著目標，為刀具組件提供電氣隔離和屏蔽。離子束源由一個高功率線性加速器組成，這使得控制諸如束能量和粒徑等透射參數的高水平控制成為可能。加速器產生100-200 keV範圍內的粒子能量，粒子大小在1-10 nm之間。離子束源可以適應電子槍，允許廣泛的可能的束形狀。此外，離子源可用於蝕刻應用，允許特定目標的選擇性蝕刻。822還具有原位底物偏置特性，可將膜沈積到非導電底物上。此功能非常適合需要深度穿透或材料分層的薄膜,例如MEMS和其他薄膜塗層應用。該資產具有超細膜沈積能力，在低能離子沈積過程中可達到2-3 nm的分辨率。總體而言，MRC 822是一款功能強大、用途廣泛的高能離子濺射模型。計算機控制的用戶友好界面可以方便地輸入準確可靠的濺射處理參數。逐步的過程控制和監測允許在幾乎任何基材上進行精確的薄膜沈積和蝕刻應用。高功率線性加速器和電子槍的結合為用戶提供了將分辨率低至2-3 nm的薄膜沈積的能力。
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