二手 MRC 943 #9155815 待售

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製造商
MRC
模型
943
ID: 9155815
Sputtering system (3) Cathodes (6) Targets: Cu, Ti, Ni, NiCr2, (2) Al RF Etch station included With generator and auto match network Control system: GE Simplicity PLC Operated Cryo and compressor Mech pump Power supplies: 2.5 kW DC (2) 10 kW DC 2 kW RF (13.56 MHz) for the etch station Missing parts: Load lock pump Valve.
MRC 943是一種濺射設備,設計用於處理長達8英寸的單個晶片,並具有脈沖反向濺射能力。這個系統有一個負載鎖和機構,可以將晶片傳送到八邊形的濺射室(4.5「至8」)或四室(適用於4「至4.5」晶片)。這兩個會議廳可以獨立或同步運作,支持廣泛的處理可能性。在八角形腔室中,磁體可以旋轉以調整Ar氣體離子轟擊目標的程度,這是沈積速率的關鍵因素。兩個腔室都采用熱電冷卻裝置,在基板上方區域保持恒定溫度。濺射槍電源模塊包含高達2.5kW直流電(DC)的輸出和高達1kW射頻(RF)的脈沖反向濺射功率。多組分陰極最多有三個濺射源,允許不同組成、大小和優先定向粒子的粒子依目標到基板的距離而定。這使得合金的各種物理和化學性質的沈積得以量身定制。943的基本單元配備了顯示實時流程信息和狀態的控制接口。該機器采用反饋回路來啟用自主晶片到晶片的過程可重復性,並且可以編程用於多個配方。這使最終用戶能夠為多個進程預先編程該工具,並將其安排為運行,而無需手動輸入。MRC 943還具有一種氣體控制資產,最多可容納五種氣體用於反應性濺射沈積,還包括兩個腔室的集成洗滌器,以提高安全性和減少模型的環境足跡。安裝在八角形腔室中的動態質譜儀還能夠使用現場監測等過程監測技術,以確保過程的可重復性和一致性。綜上所述,943濺射設備為濺射高達8"的單晶片提供了先進、可靠的工藝平臺。該系統具有高效的冷卻和過程控制,以及安全、環境和監控功能。
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