二手 MRC / TEL / TOKYO ELECTRON Eclipse Mark II #193359 待售

MRC/TEL/TOKYO ELECTRON EcLIPse Mark II濺射設備使用惰性氣體在超高真空環境中從固體基板上去除材料。該系統設計用於在多種基板上形成薄膜，包括半導體晶圓和薄膜、微電子器件、熱電器件和太陽能電池。MRC Eclipse Mark II單元利用雙磁控濺射源，由兩個分別安裝在梯形腔室中的陰極組成。腔室在背景壓力約10−7 torr的真空環境中運行。兩個磁控管均由偏置模塊供電，可提供高達1kV的直流電流和高達4.0A的直流電流。目標材料通常用Ar+或N2+離子轟擊燒蝕。濺射（sputtering）是材料從基質中去除的過程，通過在等離子體開始時用植入的離子轟擊材料來完成。可通過改變底物偏差來調節等離子體強度，從而控制離子在底物表面的分布。為了最大限度地減少離子對基板的損害，在基板的兩側放置了一系列磁體，導致基板方向的等離子體均勻分布。TEL Eclipse Mark II機還包括一個功能強大的控制軟件，允許用戶控制沈積溫度、壓力、射頻功率、基板偏置和腔室時間等參數。它還有一個數據記錄工具，允許用戶保存他們的數據並遠程訪問它。資產還具有多種用於薄膜沈積的沈積材料，包括高純度金屬、氧化物、氮化物和絕緣體。這些材料被認為是「現成的」，可以很容易地替代同一目標腔內的其他材料。TOKYO ELECTRON Eclipse Mark II模型非常適合材料研究、薄膜沈積、樣品清洗和半導體器件制造。設備可靠性高，提供出色的用戶界面，是研究的理想平臺。